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半導(dǎo)體監(jiān)管未放松,三星、SK海力士陷入困境

作者: 時間:2023-09-26 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

上周,美國最終確定并公布的針對中國的「半導(dǎo)體法護(hù)欄」可能會削弱韓國在中國大陸設(shè)立的半導(dǎo)體工廠的競爭力,因?yàn)樗茨芗{入韓國政府和企業(yè)提出的關(guān)鍵要求。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202309/450967.htm

雖然韓國的一些要求得到了承認(rèn),但由于三星和 SK 海力士的放寬訴求未被接受,而且延期期限仍不清楚,該國半導(dǎo)體行業(yè)越來越擔(dān)心。目前的情況還沒有嚴(yán)重到要立即停止在華工廠運(yùn)營或撤回業(yè)務(wù)的程度,但對未來的預(yù)測卻變得越來越不那么樂觀。

9 月 22 日,美國商務(wù)部發(fā)布了最終版《護(hù)欄規(guī)定細(xì)則》,限制根據(jù)《半導(dǎo)體法》獲得補(bǔ)貼等投資激勵的企業(yè)在中國等相關(guān)國家境內(nèi)進(jìn)行設(shè)施擴(kuò)建和技術(shù)合作。這些限制與中國大陸工廠的生產(chǎn)能力和技術(shù)發(fā)展有關(guān)。

根據(jù)最終的護(hù)欄規(guī)定,如果企業(yè)在獲得補(bǔ)貼后 10 年內(nèi)進(jìn)行「重大交易」,超出允許限度大幅增加在中國或類似國家的產(chǎn)能,則必須退還所有補(bǔ)貼。對于先進(jìn)半導(dǎo)體,顯著擴(kuò)展的邊界被定義為 5%,對于 28nm 及以上的傳統(tǒng)制程工藝,顯著擴(kuò)展的邊界被定義為 10%。

此前,韓國政府要求美國將大幅擴(kuò)張產(chǎn)能標(biāo)準(zhǔn)從 5% 調(diào)整至 10%,并放寬傳統(tǒng)制程工藝的范圍。然而,這些要求基本上被忽視了。美國商務(wù)部表示,「5% 的例外是允許對半導(dǎo)體設(shè)施和生產(chǎn)線進(jìn)行例行升級」。擴(kuò)張的定義發(fā)生了變化,從關(guān)注「物理空間或設(shè)備」轉(zhuǎn)向「潔凈室、生產(chǎn)線或其它物理空間」,這表明對產(chǎn)量的增加沒有限制。

半導(dǎo)體產(chǎn)能的衡量標(biāo)準(zhǔn)也從「月」晶圓數(shù)變?yōu)椤改辍咕A數(shù)。這一更廣泛的衡量標(biāo)準(zhǔn)似乎納入了半導(dǎo)體行業(yè)的觀點(diǎn),即產(chǎn)量根據(jù)市場條件而變化。

如果產(chǎn)能擴(kuò)張超過 5%,投資金額限制為 10 萬美元。值得注意的是,補(bǔ)貼金額等細(xì)節(jié)將由申請企業(yè)與美國商務(wù)部協(xié)商確定。

關(guān)于通用半導(dǎo)體,根據(jù)與美國商務(wù)部的談判,也可以包括接受補(bǔ)貼時在建的設(shè)施。特別是如果中國大陸工廠生產(chǎn)的通用半導(dǎo)體 85% 在相關(guān)國家用作最終產(chǎn)品,則不受擴(kuò)張護(hù)欄限制。

允許在擴(kuò)建護(hù)欄范圍內(nèi)進(jìn)行升級以及為維護(hù)現(xiàn)有設(shè)施而更換設(shè)備。允許與中國合作開發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)研究。國際標(biāo)準(zhǔn)活動、專利相關(guān)活動以及對不引起國家安全問題的技術(shù)和項(xiàng)目的合作研究仍然是可行的。

美國商務(wù)部長吉娜·雷蒙多表示:「《半導(dǎo)體法》從根本上講關(guān)乎國家安全,這些護(hù)欄將有助于確保接受美國政府資金的公司不會損害我們的國家安全,我們將繼續(xù)與我們的盟友和伙伴密切合作,以加強(qiáng)全球供應(yīng)鏈和集體安全。」

韓國政府計(jì)劃繼續(xù)與美國合作,加強(qiáng)全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈,保障兩國企業(yè)的投資和商業(yè)活動。相關(guān)行業(yè)正在考慮根據(jù)半導(dǎo)體法的激勵規(guī)模和基于各自全球業(yè)務(wù)戰(zhàn)略的護(hù)欄條款來應(yīng)對。

最近,中國大陸成功生產(chǎn)出類似于 7nm 制程的芯片,這使得中國半導(dǎo)體在 NAND 閃存層數(shù)少于 128 層、DRAM 制程節(jié)點(diǎn)不低于 18nm 的情況下,實(shí)現(xiàn)了新的跨越。韓國企業(yè)要想保持在中國大陸的競爭力,就必須增加先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)。然而,美國政府最新確認(rèn)的 5% 的擴(kuò)張只是維持目前的產(chǎn)量。

此外,隨著進(jìn)口先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的豁免措施下個月到期,韓國和美國的談判正處于最后階段。業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)豁免措施將再延長一年,但如果不延長且管控措施生效,不確定性會增加。

韓國芯片制造商面臨挑戰(zhàn)

在過去一年的大部分時間里,人們一直關(guān)注《芯片和科學(xué)法案》以及美國半導(dǎo)體出口管制如何影響韓國在中國的半導(dǎo)體設(shè)施的長期生存能力。然而,競爭激烈的中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長以及對清潔能源生產(chǎn)的需求對韓國半導(dǎo)體公司來說同樣重要。

與韓國半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)的是來自中國大陸的新興競爭挑戰(zhàn),中國在存儲芯片領(lǐng)域投入了大量資金,以實(shí)現(xiàn)自給自足,根據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會 2021 年的一份報(bào)告,中國大陸對其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的補(bǔ)貼和投資已將中國晶圓廠的生產(chǎn)成本降低到低于其它國家的水平。

從表面上看,三星和 SK 海力士在與中國本土存儲器廠商的競爭中遙遙領(lǐng)先,三星和 SK 海力士長期以來一直主導(dǎo)著存儲芯片領(lǐng)域,中國本土存儲器龍頭 Y 公司在 2021 年僅占 5% 的市場份額。不過,長遠(yuǎn)來看,這也許是中國國內(nèi)存儲芯片公司的最大希望。

中國本土存儲器龍頭 Y 公司可能比它看起來更接近競爭對手。去年,當(dāng)蘋果考慮從其采購生產(chǎn) iPhone 所需的 40% 以上的 NAND 芯片時,Y 公司最初收到了好消息,蘋果已經(jīng)確定,Y 公司可以以低廉的價格生產(chǎn)高質(zhì)量的芯片。雖然蘋果經(jīng)常輪換其存儲芯片來源,但將 Y 公司添加到蘋果穩(wěn)定的供應(yīng)商中將減少三星和 SK 海力士未來的潛在銷售額。同時,蘋果這一舉措還間接說明了 Y 公司芯片的質(zhì)量。

最終,美國的半導(dǎo)體限制以及美國的政治壓力破壞了蘋果從這家中國本土存儲器大廠購買芯片的努力,韓國企業(yè)則從中受益,然而,自那以后,中國已向 Y 公司提供了很多補(bǔ)貼,報(bào)告顯示,該公司已經(jīng)能夠與中國設(shè)備制造商合作,以獲得明年晚些時候開設(shè)新工廠所需的設(shè)備。

中國的競爭并不是韓國半導(dǎo)體行業(yè)面臨的唯一潛在挑戰(zhàn),碳排放正成為一個越來越重要的問題,并可能引發(fā)對韓國半導(dǎo)體生產(chǎn)可行性的質(zhì)疑。



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