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三星西安工廠工藝升級獲批,將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

作者: 時間:2023-10-17 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

據(jù)悉,經(jīng)營高層日前做出決定,將升級位于中國西安的 閃存工廠,為完成工廠制程升級已下單采購最新半導(dǎo)體設(shè)備,或?qū)⒂诮衲昴甑组_始引進(jìn)新設(shè)備。西安工廠是目前位于海外的唯一內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地,2014 年開始投產(chǎn),經(jīng) 2020 年擴建二期項目后,目前每月生產(chǎn) 20 萬張 12 英寸芯片,是全球最大的 閃存生產(chǎn)基地,占 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠內(nèi)部署生產(chǎn) 236 層(第 8 代)NAND 芯片的設(shè)備,并依次完成工藝轉(zhuǎn)換。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202310/451624.htm

2022 年 11 月,三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片,該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度,當(dāng)搭配高端主控使用時,它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹,第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案,三星電子當(dāng)時沒有公開芯片的大小和實際密度,不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。

三星電子閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁 SungHoi Hur 表示:「由于市場對更密集、更大容量存儲的需求推動了更高的 V-NAND 層數(shù),三星采用了先進(jìn)的 3D 壓縮技術(shù),以減少表面積和高度,同時避免通常在壓縮時出現(xiàn)的單元間干擾。我們第 8 代 V-NAND 將有助于滿足快速增長的市場需求,并使我們更好地提供更多差異化的產(chǎn)品和解決方案,這將是未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。」

為什么對西安工廠進(jìn)行升級?

三星電子對西安工廠進(jìn)行升級的原因大致出于兩方面的考慮,在全球 NAND 閃存市場未出現(xiàn)明顯回暖跡象下,三星電子欲維持全球龍頭老大的地位。從去年底開始,全球 IT 市場尤其是半導(dǎo)體景氣不振,三星電子在 NAND 業(yè)務(wù)上也持續(xù)低迷,加上未能出貨的庫存積壓,赤字不斷擴大。

今年三季度,三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門虧損推測為 3 萬億韓元以上,其中 2 萬億韓元虧損來自 NAND 業(yè)務(wù)。雖然三星電子持續(xù)減產(chǎn),但對業(yè)績的改善效果不及預(yù)期,因此決定升級工藝制程。通過生產(chǎn)最新第 8 代產(chǎn)品不僅可確保價格競爭力和市場需求,且相比于第 6 代產(chǎn)品,第 8 代產(chǎn)品所需芯片減少 30%,可起到自然減產(chǎn)效果,符合市場需求保持供需平衡。

三星電子自今年 4 月宣布減產(chǎn)后,第 6 代(128 層)V-NAND 主產(chǎn)地西安工廠開工率大幅降低。業(yè)內(nèi)判斷此時為升級工廠的最佳時機,西安工廠 236 層 NAND 工藝趨于穩(wěn)定后,將逐漸減少現(xiàn)有生產(chǎn)線。其次,美方日前同意向三星電子和 SK 海力士提供半導(dǎo)體設(shè)備,令這兩家半導(dǎo)體大廠得以喘息。

一位業(yè)界人士稱,三星西安工廠擴建雖然仍有困難,但在進(jìn)行設(shè)備維護(hù)或工藝轉(zhuǎn)換方面不會存在太大問題,雖然因工藝升級設(shè)備數(shù)量增加,芯片的投入量和產(chǎn)能會有所降低,但出貨量仍保持穩(wěn)定。業(yè)內(nèi)預(yù)測三星電子 DS 部門有望于明年上半年實現(xiàn)扭虧為盈,今年前兩季度,該部門均出現(xiàn) 4.5 萬億韓元左右的虧損,三季度收窄至 3 萬多億韓元。尤金證券市場調(diào)查負(fù)責(zé)人李勝宇稱,由于減產(chǎn)效果逐漸顯現(xiàn),庫存量明顯減少,價格將持續(xù)反彈,三星電子業(yè)績有望得到改善。

此外,在存儲市場經(jīng)歷了長時間的低迷后,NAND 也終于迎來了它的漲價周期。

NAND 開始漲價

據(jù)悉,三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 芯片供應(yīng)價格過低,計劃在今年第四季度將 NAND Flash 芯片價格調(diào)漲 10%以上,且最快自 10 月開始漲價。

據(jù)了解,三星上月已與小米、OPPO 及谷歌等客戶簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議,DRAM 和 NAND Flash 芯片價格較之前合同價格上調(diào) 10%-20%。三星還預(yù)計,從第四季度起存儲芯片市場或?qū)⒐┎粦?yīng)求。

今年以來,三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略。最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域,之后下半年開始著手大幅削減 NAND Flash 芯片的產(chǎn)量。此次調(diào)漲 NAND Flash 芯片合約價格,是三星電子繼先前宣布 NAND Flash 芯片減產(chǎn)后,企圖提振 NAND Flash 芯片價格的最新策略。SK 海力士、美光等大型芯片廠商調(diào)整了其 NAND 產(chǎn)品的價格,合約價至少上漲了 10%。



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