新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動態(tài) > 良率超 50%,全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC

良率超 50%,全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC

作者:故淵 時間:2023-10-27 來源:IT之家 收藏

IT之家 10 月 27 日消息,全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股(GlobalWafers)董事長徐秀蘭表示,公司克服了量產(chǎn)碳化硅()晶圓的重重技術難關,已經(jīng)將 晶圓推進至 8 英寸,和國際大廠保持同步。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202310/452161.htm

徐秀蘭預估將會在 2024 年第 4 季度開始小批量出貨 8 英寸 產(chǎn)品,2025 年大幅增長,到 2026 年占比超過 6 英寸晶圓。

環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率,已經(jīng)超過 50%,而且有進一步改善的空間,明年上半年開始交付相關樣品。

良率超 50%,全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC

IT之家從報道中獲悉,徐秀蘭表示客戶都希望環(huán)球晶圓教書從 6 英寸到 8 英寸 SiC 量產(chǎn)的過渡,主要客戶來自汽車領域。

環(huán)球晶圓設計并開發(fā)了專門的碳化硅晶體生長爐(Crystal Growth Furnace),增強了材料質(zhì)量控制并降低了晶體生長成本。

SiC 的高硬度和脆性使得晶圓加工具有挑戰(zhàn)性,但環(huán)球晶圓采用更高的工藝精度和更高效的晶圓處理方法,從而實現(xiàn)超薄 SiC 晶圓加工。



關鍵詞: 晶圓廠 SiC

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉