三大晶圓代工巨頭先進制程新進展

近期，英特爾執(zhí)行長基辛格表示，英特爾可如期達成4年推進5世代制程技術的目標。Intel 7制程技術已大量生產，Intel 4制程也已經(jīng)量產，Intel 3制程準備開始量產，Intel 20A制程將如期于2024年量產，Intel 18A制程將是5世代制程目標的終極制程，已確定相關設計規(guī)則。

在AI、高性能計算等新興技術驅動下，晶圓代工產業(yè)先進制程重要性日益凸顯，吸引臺積電、三星、英特爾積極布局。

臺積電方面，該公司N3X、2nm工藝計劃2025年進入量產階段。臺積電介紹，公司將在2nm制程節(jié)點首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，相較于N3E ，該工藝在相同功耗下，速度最快將可增加至15% ；在相同速度下，功耗最多可降低30% ，同時芯片密度增加大于15% 。

三星方面，該公司已量產第二代3nm芯片，并計劃2025年底前推出2nm制程、2027年底前推出1.4nm制程。今年10月媒體報道三星電子旗下晶圓代工事業(yè)Samsung Foundry 透露，已開始跟大型芯片客戶接洽，準備提供1.4nm及2nm制程的服務。晶圓代工客戶大約需要3年才能做出最終購買決定。三星正在跟大客戶接洽，可能在未來幾年展現(xiàn)成果。

Samsung Foundry科技長Jeong Ki-tae表示，GAA制程是一種可以延續(xù)到未來的技術，鰭式場效電晶體（FinFET）制程則無法更加精進，公司已在跟大客戶討論2nm、1.4nm等未來制程。