Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)

奈梅亨，2023年11月30日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)逆變器等汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用對(duì)高性能SiC MOSFET的需求。


Nexperia高級(jí)總監(jiān)兼SiC產(chǎn)品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機(jī)希望這兩款首發(fā)產(chǎn)品可以激發(fā)更多的創(chuàng)新，推動(dòng)市場(chǎng)涌現(xiàn)更多寬禁帶器件供應(yīng)商。Nexperia現(xiàn)可提供SiC MOSFET器件，這些器件的多個(gè)參數(shù)性能均超越同類(lèi)產(chǎn)品，例如極高的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴(yán)格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導(dǎo)通。這是我們與三菱電機(jī)承諾合作生產(chǎn)高質(zhì)量SiC MOSFET的開(kāi)篇之作。毫無(wú)疑問(wèn)，在未來(lái)幾年里，我們將共同推動(dòng)SiC器件性能的發(fā)展?！?br/>三菱電機(jī)半導(dǎo)體與器件部功率器件業(yè)務(wù)高級(jí)總經(jīng)理Toru Iwagami表示：“我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET，這也是我們合作推出的首批產(chǎn)品。三菱電機(jī)在SiC功率半導(dǎo)體方面積累了豐富的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，我們的器件實(shí)現(xiàn)了多方面特性的出色平衡。”

RDS(on)會(huì)影響傳導(dǎo)功率損耗，是SiC MOSFET的關(guān)鍵性能參數(shù)。Nexperia發(fā)現(xiàn)這也是造成目前市場(chǎng)上許多SiC器件的性能受限的因素，新推出的SiC MOSFET采用了創(chuàng)新型工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內(nèi)，RDS(on)的標(biāo)稱(chēng)值僅增加38%。

Nexperia SiC MOSFET的柵極總電荷(QG)非常低，由此可實(shí)現(xiàn)更低的柵極驅(qū)動(dòng)損耗。此外，Nexperia通過(guò)平衡柵極電荷，使QGD與QGS比率非常低，這一特性又進(jìn)一步提高了器件對(duì)寄生導(dǎo)通的抗擾度。  

除了正溫度系數(shù)外，Nexperia的SiC MOSFET的器件間閾值電壓VGS(th)也超低，這使得器件并聯(lián)工作時(shí)，在靜態(tài)和動(dòng)態(tài)條件下都能實(shí)現(xiàn)非常均衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩(wěn)健性和效率，同時(shí)還能放寬對(duì)異步整流和續(xù)流操作的死區(qū)時(shí)間要求。

Nexperia未來(lái)還計(jì)劃推出車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0現(xiàn)已投入大批量生產(chǎn)。請(qǐng)聯(lián)系Nexperia銷(xiāo)售代表獲取全套SiC MOSFET樣品。
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