英特爾與五角大樓深化合作 開發(fā)世界最先進芯片

在與五角大樓簽署第一階段"快速保證微電子原型 RAMP-C 計劃"兩年半之后，英特爾又加深了與國防部的合作關系。英特爾、五角大樓以及由《CHIPS 法案》資助的國家安全加速器計劃現(xiàn)已同意合作生產(chǎn)只能在歐洲或亞洲制造的先進芯片制造工藝的早期測試樣品。

這家芯片制造商今天早些時候表示，有了 RAMP-C，美國政府將能夠首次獲得領先的芯片制造技術。

RAMP-C 計劃的第三階段將涵蓋英特爾未來的 18A 制造工藝制造的原型。這些高端芯片制造工藝通常用于消費類處理器，因為它們在運行計算和圖形重型應用時需要耗費大量電能。

為國家安全應用制造 18A 芯片是英特爾與其 DIB（國防工業(yè)基地）客戶合作的一部分。這些客戶包括承包商諾斯羅普-格魯曼公司（Northrop Grumman）和波音公司（Boeing），以及微軟（Microsoft）、英偉達（NVIDIA）和國際商業(yè)機器公司（IBM）等消費企業(yè)。

該技術是英特爾的下一代工藝節(jié)點，根據(jù)公司高管此前的聲明，其前身（即 20A 工藝）應于 2024 年投入生產(chǎn)。去年年底，英特爾公司首席執(zhí)行官帕特里克-蓋爾辛格（Patrick Gelsinger）透露，18A 工藝已提前實現(xiàn)量產(chǎn)。

與此同時，英特爾還發(fā)布了一份2022年12月的路線圖，兩個月后，英特爾又發(fā)布了另一份路線圖，詳細說明了18A工藝可在2024年下半年實現(xiàn)風險生產(chǎn)（或英特爾所稱的制造準備就緒）。RAMP-C合同的第三階段強調了英特爾18A工藝技術、知識產(chǎn)權（IP）和生態(tài)系統(tǒng)解決方案，為大批量生產(chǎn)（HVM）做好了準備。

蓋爾辛格還宣傳英特爾 18A 芯片卓越的電源管理能力，將其與臺灣半導體制造公司（TSMC）的 2 納米技術相提并論。繼Intel 3工藝之后，英特爾的芯片工藝技術術語已轉向埃米級。

這意味著，純粹根據(jù)其營銷名稱進行比較，18A 芯片工藝相當于 1.8 納米。在芯片制造中，越小越好，因為更小的電路能夠提高導電性和性能吞吐量。現(xiàn)代芯片在極小的空間內(nèi)擠下了數(shù)十億個晶體管，與前代產(chǎn)品相比，可以處理更多的數(shù)據(jù)。

作為今天發(fā)布會的一部分，國防部微電子工程負責人 Dev Shenoy 博士評論說，五角大樓預計"在 2025 年展示英特爾 18A 芯片的原型生產(chǎn)"。英特爾代工廠 RAMP-C 的第三階段將集中于芯片設計的敲定。這是設計流程的最后階段，工程師們將完成流程中的概念部分，并將工作轉向在生產(chǎn)流程中指導先進芯片制造設備的掩模。

本月早些時候，英特爾公司首次開啟了世界上最先進的芯片制造設備。這些被稱為高 NA EUV 的機器將簡化設計流程，從而縮短芯片制造時間。