三星否認自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達測試，“正改善質(zhì)量”

5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。

不過據(jù)韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關(guān)報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。

三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 HBM3E上，三星并未像競爭對手SK海力士、美光那樣采用1b nm制程DRAM裸片，而是仍使用1a nm顆粒，在能耗方面處于劣勢。加上本次出現(xiàn)的相關(guān)負面輿論，這導(dǎo)致一些分析師懷疑三星“是否有能力從 SK海力士處迅速奪回市場份額”。