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西電廣研團(tuán)隊(duì)攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

作者: 時(shí)間:2024-07-15 來(lái)源:SEMI 收藏

7月12日消息,近日,西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授課題組李祥東團(tuán)隊(duì)在藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaN量產(chǎn)技術(shù)研發(fā)方面取得突破性進(jìn)展。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202407/460978.htm

研發(fā)成果6英寸增強(qiáng)型e-GaN以“p-GaN Gate HEMTs on 6 Inch Sapphire by CMOSCompatible Process: A Promising Game Changer for Power Electronics”為題發(fā)表在高水平行業(yè)期刊IEEE Electron Device Letters上,并入選封面highlight論文。

西電廣州研究院與廣東致能科技公司聯(lián)合攻克了≥1200V超薄GaN緩沖層外延、p-GaN柵HEMTs設(shè)計(jì)與制造、可靠性加固、高硬度材料封測(cè)等整套量產(chǎn)技術(shù),成功開(kāi)發(fā)出閾值電壓超過(guò)2V、耐壓達(dá)3000V的6英寸藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaNHEMTs晶圓,展示了替代中高壓硅IGBT和SiC MOSFET的巨大潛力。

在該項(xiàng)目的研究中,研究團(tuán)隊(duì)還成功研發(fā)了8英寸GaN,首次證明了8英寸藍(lán)寶石基GaN HEMTs晶圓量產(chǎn)的可行性,并打破了傳統(tǒng)GaN技術(shù)難以同時(shí)兼顧大尺寸、高耐壓、低成本的國(guó)際難題,將有望推動(dòng)≥1200 V中高壓電力電子技術(shù)實(shí)現(xiàn)變革。



關(guān)鍵詞: 氮化鎵 電力電子芯片

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