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技術(shù)淺談】TVS的選型計算你做對了嗎?(續(xù))

作者: 時間:2024-08-29 來源:Littelfuse 收藏

俗話說“書接上回”,那么再寫個續(xù)集吧!

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202408/462449.htm

細(xì)心的朋友可能會發(fā)現(xiàn),上一篇寫的計算方法針對的是單次的浪涌,比如Surge test一般兩次浪涌之間會有30~60 s的間隔時間,這意味著有足夠的時間去把吸收的浪涌能量給耗散掉,不會因為熱累積而導(dǎo)致溫度過高而損壞。

但是,現(xiàn)實中還有一些情況是會有重復(fù)浪涌的。比如下圖,MOSFET作為低邊開關(guān)來控制感性負(fù)載L,MOSFET會由PWM控制進(jìn)行周期性的開關(guān),每次關(guān)斷(turn off)時,L都會因為反向的感應(yīng)電動式E而產(chǎn)生一個尖峰電壓Vspike。

Vspike = L× di/dt (L 大; Ipeak 大;t 小 --> Vspike 大)

此時MOSFET的 Vds需要承受12 V+Vspike的電壓,如果Vspike很高的話是有可能會損壞MOSFET的,這時候就有它的用武之地了。

下圖這個示例中,MOSFET的Vds=100 V,考慮10%的裕量,TVS的Vc需要<100×90%=90 V以保護(hù)MOSFET。



OK, 那么在這種重復(fù)浪涌的應(yīng)用中,如果選用 TVS 做保護(hù),選型和計算時需要如何來考慮呢?一起來看看吧!

1. 平均功率PAVG的計算

這里我們可以先假設(shè) TVS 吸收了所有 L 存儲的能量(這是 worst case 情況,實際上 L , R, diode , TVS 都會吸收 L 所存儲的能量,做這個假設(shè)是為了方便計算)。

電感量: L = 50 mH

峰值電流:Ipeak = V/R = 12/24 =0.5 A

頻率:f = 100 Hz

PAVG=1/2 × L x Ipeak^2 × f=1/2 x 50 mH x 0.5^2 x100 =0.625 W

這個結(jié)果有什么意義呢?請接著往下看。

2 . TVS結(jié)溫Tj的計算

TVS的SPEC中會有Tj(max)這個參數(shù),絕大多數(shù)情況下,只要計算得到的Tj < Tj(max),我們就可以認(rèn)為TVS是安全的,不會損壞。

參考下圖,取熱阻系數(shù)Rth(j-a):


這里取焊盤面積 Scu=0.5 cm^2 ,可以得到 Rth(j-a)=92℃/W

Tj = Tamb + PAVG × Rth(j-a) =85 + 0.625 × 92 = 142.5℃

參考SMBJ系列TVS的SPEC:


Tj =142.5℃ < Tj(max) = 150℃

So,這顆SMBJ/600 W的TVS,從平均功率PAVG的角度來說選型是OK的。

3. 確定TVS的VBR

這里需要強(qiáng)調(diào)的一點是,在重復(fù)浪涌的應(yīng)用中,首先應(yīng)該考慮盡量減小Ipeak,也就是流經(jīng)TVS的電流Ipp。因為如果還是像單次浪涌那樣,以Ppp = Ipp × Vc作為評估的標(biāo)準(zhǔn),那么重復(fù)浪涌會造成短時間內(nèi)的能量累積,TVS無法有效地耗散這些能量,從而導(dǎo)致Tj溫度急劇上升而損壞。

根據(jù)經(jīng)驗,建議Ipp<1A,參考下圖,此時Vc≈VBR。


這個案例中需要選擇 VBR(max)<90 V 的 TVS, 參考下表 SMBJ70A 的 VBR(max)=86.0V, 可以滿足要求。

計算到這里基本上也就差不多了,如果還有興趣可以做一下溫度校正,公式如下:

Vc(Tj) = Vc(25°C) ×(1 + αT × (Tj ? 25°C))

αT=0.105%/℃ (查SPEC得到)

Vc(25℃)=86.0 V

Tj=142.5℃

Vc(Tj=142.5℃) = 86 × (1+0.105%×(142.5-25))= 96.6 V< Vds=100 V

綜上所述,SMBJ70A可以滿足本次的選型需求。

最后,我想說,其實在重復(fù)浪涌的應(yīng)用中,還有許多值得探討的地方。比如RCD的snubber電路、壓敏電阻MOV等都是可以考慮的保護(hù)方案,這篇文章只是起一個拋磚引玉的作用,歡迎交流!



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