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2024年上半年存儲器現(xiàn)貨市場調(diào)整,預計下半年價格將面臨壓力

作者: 時間:2024-08-29 來源:全球半導體觀察 收藏

根據(jù)集邦咨詢最新調(diào)查,模組廠從2023年第三季后開始積極增加DRAM(內(nèi)存)庫存,到2024年第二季庫存水位已上升至11-17周。然而,消費電子需求未如預期回溫,如智能手機領域已出現(xiàn)整機庫存過高的情況,筆電市場也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買,市場繼續(xù)萎縮。這種情況下,以消費產(chǎn)品為主的現(xiàn)貨價格開始走弱,第二季價格較第一季下跌超過30%。盡管現(xiàn)貨價至八月份仍與合約價脫鉤,但也暗示合約價的潛在趨勢。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202408/462501.htm

集邦咨詢表示,2024年第二季模組廠在消費類NAND Flash(閃存)零售渠道的出貨量已大幅年減40%,反映出全球消費性市場正面臨嚴峻挑戰(zhàn)。存儲器產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響,但今年上半年的出貨下滑明顯超出市場預期,這預示著下半年的需求不會大幅回溫。

通貨膨脹和利率攀升等因素沖擊消費者支出意愿,間接導致消費類存儲器模組的出貨量下降。此外,NAND Flash wafer(晶圓)價格持續(xù)上漲,使得模組廠的營運成本大幅增加。然而,由于終端產(chǎn)品價格必須保持吸引力以刺激消費需求,模組廠無法反映增加的成本,利潤空間進一步被壓縮。

集邦咨詢指出,目前還未明確觀察到AI手機或AI PC在接下來幾季能有合理的應用出現(xiàn),即使?jié)B透率因平臺商推廣而有所提高,也難以帶起全面換機潮,因此無法帶動DRAM價格。

從2025年的情況來看,雖然預期DRAM價格會逐季上揚,但原因是HBM3e(第五代高帶寬內(nèi)存)滲透率持續(xù)提升拉高均價,以及供給端缺乏新產(chǎn)能而有所限制。如果消費性需求持續(xù)疲軟,DRAM價格上漲的幅度將低于預期。




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