美光1γ DRAM開始出貨，用上了EUV

美光科技公司近日宣布，該公司在業(yè)界率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴和特定客戶交付了專為下一代 CPU 設(shè)計(jì)的 1γ（1-gamma）、第六代（10 納米級(jí)）DRAM 節(jié)點(diǎn) DDR5 內(nèi)存樣品。1γ DRAM 的這一里程碑建立在美光之前 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 節(jié)點(diǎn)領(lǐng)導(dǎo)地位的基礎(chǔ)上，旨在提供創(chuàng)新，為未來計(jì)算平臺(tái)提供支持，從云端到工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用，再到邊緣 AI 設(shè)備，如 AI PC、智能手機(jī)和汽車。

美光 1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)將首先在其 16 Gb DDR5 DRAM 中得到利用，并隨著時(shí)間的推移將集成到美光的內(nèi)存產(chǎn)品組合中，以滿足行業(yè)對高性能、節(jié)能 AI 內(nèi)存解決方案日益增長的需求。16 Gb DDR5 產(chǎn)品旨在提供高達(dá) 9200 MT/s 的速度能力，與其前代產(chǎn)品相比，速度提高了 15%，功耗降低了 20% 以上。

隨著人工智能在數(shù)據(jù)中心和邊緣的引入，對內(nèi)存的需求從未如此之大。美光向 1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)的過渡有助于解決客戶希望解決的關(guān)鍵挑戰(zhàn)：

增強(qiáng)的性能——基于 Micron 1γ 的 DRAM 提供了更高的性能，將支持從數(shù)據(jù)中心到邊緣設(shè)備的各種內(nèi)存產(chǎn)品的計(jì)算擴(kuò)展，以滿足未來 AI 工作負(fù)載的需求。

節(jié)省功耗——美光的 1γ 節(jié)點(diǎn)采用下一代高 K 金屬柵極 CMOS 技術(shù)，并結(jié)合設(shè)計(jì)優(yōu)化，可將功耗降低 20% 以上，從而改善熱性能。

提高位密度輸出——美光的 1γ 節(jié)點(diǎn)利用 EUV 光刻技術(shù)、設(shè)計(jì)優(yōu)化和工藝創(chuàng)新，與上一代產(chǎn)品相比，每晶圓的位數(shù)輸出提高了 30% 以上，并且能夠有效擴(kuò)展內(nèi)存供應(yīng)。

美光執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)與產(chǎn)品官 Scott DeBoer 表示：「美光在開發(fā)專有 DRAM 技術(shù)方面的專業(yè)知識(shí)，加上我們對 EUV 光刻技術(shù)的戰(zhàn)略性使用，已形成強(qiáng)大的尖端 1γ 內(nèi)存產(chǎn)品組合，有望推動(dòng) AI 生態(tài)系統(tǒng)向前發(fā)展。1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)的增強(qiáng)位密度輸出彰顯了美光的制造實(shí)力和效率，使我們能夠擴(kuò)大內(nèi)存供應(yīng)以滿足不斷增長的行業(yè)需求?！?br/>美光經(jīng)過多代驗(yàn)證的 DRAM 技術(shù)和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ 節(jié)點(diǎn)的誕生。1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)創(chuàng)新得到了 CMOS 進(jìn)步的支持，包括下一代高 K 金屬柵極技術(shù)，該技術(shù)可提高晶體管性能，從而實(shí)現(xiàn)更好的速度能力、設(shè)計(jì)優(yōu)化和特征尺寸縮小，所有這些都帶來了節(jié)能和性能擴(kuò)展的好處。此外，通過最佳地結(jié)合尖端 EUV 光刻技術(shù)、先進(jìn)的高縱橫比蝕刻技術(shù)和行業(yè)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)創(chuàng)新，1γ 節(jié)點(diǎn)可提供行業(yè)領(lǐng)先的位密度優(yōu)勢。通過在全球各地開發(fā) 1γ 節(jié)點(diǎn)制造，美光正在幫助確保行業(yè)擁有更好的技術(shù)和供應(yīng)彈性。
美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 表示：「美光再次引領(lǐng)行業(yè)推出全球最先進(jìn)的內(nèi)存技術(shù)。美光的 1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)具有無與倫比的能效和非凡的性能，是一項(xiàng)突破性的成就。美光 1γ DRAM 產(chǎn)品將通過為從數(shù)據(jù)中心到邊緣的所有細(xì)分市場提供可擴(kuò)展的內(nèi)存解決方案來徹底改變 AI 生態(tài)系統(tǒng)，使我們的客戶能夠始終領(lǐng)先于快速發(fā)展的行業(yè)需求?！?/p>

將產(chǎn)品從云端轉(zhuǎn)變?yōu)檫吘?/strong>

作為未來產(chǎn)品的基礎(chǔ)，1γ 節(jié)點(diǎn)將集成到美光的內(nèi)存產(chǎn)品組合中：

數(shù)據(jù)中心：基于 1γ 的數(shù)據(jù)中心 DDR5 內(nèi)存解決方案，可將性能提高 15%，提高能源效率，并有助于持續(xù)擴(kuò)展服務(wù)器性能，從而使數(shù)據(jù)中心能夠在未來的機(jī)架級(jí)功率和熱設(shè)計(jì)中進(jìn)行優(yōu)化。

Edge AI：1γ低功耗 DRAM 解決方案可提高節(jié)能效果并增加帶寬，從而增強(qiáng) Edge AI 解決方案的用戶體驗(yàn)。

AI PC：1γ DDR5 SODIMM 可提高性能并將功耗降低 20%，從而延長電池壽命并改善整體筆記本電腦用戶體驗(yàn)。

移動(dòng): 1γ LPDDR5X 將在邊緣實(shí)現(xiàn)卓越的 AI 體驗(yàn)，并延續(xù)美光在移動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

汽車: 基于 1γ 的 LPDDR5X 內(nèi)存可擴(kuò)展容量、壽命和性能，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高達(dá) 9600 MT/s 的速度。

AMD 服務(wù)器平臺(tái)解決方案工程公司副總裁 Amit Goel 表示：「我們很高興看到美光在 1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)上取得進(jìn)展，我們已經(jīng)開始對美光 1γ DDR5 內(nèi)存進(jìn)行驗(yàn)證。我們的密切合作至關(guān)重要，因?yàn)槲覀儗⒗^續(xù)通過下一代 AMD EPYC 產(chǎn)品（用于數(shù)據(jù)中心）以及整個(gè)產(chǎn)品組合中的消費(fèi)級(jí)處理器來推進(jìn)計(jì)算生態(tài)系統(tǒng)?！?br/>「美光 1γ 節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步為英特爾服務(wù)器和 AI PC 帶來了顯著的功率和密度改進(jìn)。我們很高興看到美光在 DRAM 技術(shù)方面的持續(xù)創(chuàng)新，并期待基于這些容量來增強(qiáng)服務(wù)器系統(tǒng)性能和 PC 電池壽命，」英特爾公司副總裁兼內(nèi)存和 IO 技術(shù)總經(jīng)理 Dimitrios Ziakas 博士表示。「英特爾正在努力通過其對美光 1γ DDR5 內(nèi)存樣品的嚴(yán)格服務(wù)器驗(yàn)證流程，為客戶提供具有最高質(zhì)量和一流體驗(yàn)的服務(wù)器系統(tǒng)?！?br/>符合條件的客戶和合作伙伴可參加美光針對 DDR5 的技術(shù)支持計(jì)劃 (TEP)，該計(jì)劃提供早期獲取技術(shù)信息和電氣和熱模型的機(jī)會(huì)，以及協(xié)助設(shè)計(jì)、開發(fā)和推出下一代計(jì)算平臺(tái)的支持。