MOSFET封裝進(jìn)步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動(dòng)功能

　　亞芯片級(jí)封裝

　　XLLGA封裝在封裝底部提供可焊接的金屬觸點(diǎn)(類(lèi)似于DFN型封裝)，采用創(chuàng)新的內(nèi)部設(shè)計(jì)，使整體封裝尺寸小于任何類(lèi)似芯片級(jí)封裝。

　　安森美半導(dǎo)體的NTNS3193NZ及NTNS3A91PZ使用最新XLLGA3 3導(dǎo)線亞芯片級(jí)封裝(見(jiàn)圖3)，尺寸僅為0.62 x 0.62 x 0.4 mm，是業(yè)界極其微型化的分立小信號(hào)MOSFET，總占位面積僅為0.38mm2。N溝道NTNS3193NZ的典型導(dǎo)通電阻為0.65 Ω @ ±4.5 V閘極至源極電壓，而NTNS3A91PZ P溝道元件的典型導(dǎo)通電阻為典型值1.1Ω@±4.5 V。它們是安森美半導(dǎo)體20 V小信號(hào)MOSFET系列中最小的元件;此系列元件還包括采用SOT563 (1.6x1.6x0.5 mm)、SOT723 (1.2 x 1.2 x 0.5 mm)、SOT963 (1.0 x 1.0 x 0.5 mm)及SOT883 (1.0 x 0.6 x 0.4 mm)封裝的元件。

　　結(jié)論

　　隨著全球人口中使用移動(dòng)技術(shù)的比例不斷提升，不斷發(fā)展的市場(chǎng)對(duì)更高性能及功能的需求預(yù)計(jì)也將上升。產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員要想在短時(shí)間內(nèi)領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手來(lái)滿足這些要求，必須依靠結(jié)合硅技術(shù)進(jìn)步及封裝技術(shù)改進(jìn)。雖然大規(guī)模集成電路(LSI)持續(xù)遵循摩爾定律，在連續(xù)多世代的移動(dòng)芯片組中集成更多功能，毫無(wú)疑問(wèn)，新元件只會(huì)在市場(chǎng)需求被確認(rèn)一段時(shí)間后才上市。

　　為了確保透過(guò)使用多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)IC開(kāi)發(fā)成功的設(shè)計(jì)來(lái)盡早上市，設(shè)計(jì)人員必須充分利用充當(dāng)關(guān)鍵功能區(qū)域“膠合劑”(glue)之小信號(hào)分立元件創(chuàng)新的優(yōu)勢(shì)。隨著每個(gè)新芯片組的上市，領(lǐng)先的設(shè)計(jì)已經(jīng)應(yīng)用多芯片，并推動(dòng)亞芯片級(jí)分立MOSFET的進(jìn)一步需求。