Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET

　　2013 年 12 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出業(yè)界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴(kuò)展其TrenchFET P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si8851EDB是為在移動計算設(shè)備中提高效率和節(jié)省空間而設(shè)計的，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下分別具有8.0mΩ和11.0mΩ的極低導(dǎo)通電阻。

　　Si8851EDB把P溝道Gen III技術(shù)與MICRO FOOT的無封裝CSP技術(shù)，以及30pin設(shè)計和引腳布局結(jié)合在一起，在給定的面積內(nèi)提供了盡可能低的導(dǎo)通電阻。與最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比，Si8851EDB的高度薄50%，在4.5V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻幾乎只有一半，單位封裝尺寸的導(dǎo)通電阻低37%。Si8851EDB的導(dǎo)通電阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm的MOSFET，外形尺寸小56%，單位封裝尺寸的導(dǎo)通電阻低30%以上。

　　當(dāng)前推出的器件高度只有0.4mm，適和在平板電腦、智能手機(jī)和筆記本電腦的電源管理應(yīng)用中用作負(fù)載和電池開關(guān)。Si8851EDB的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計者可以在其電路里實(shí)現(xiàn)更低的壓降，從而更有效地使用電能并延長電池使用壽命，同時其小占位可節(jié)省寶貴的PCB空間。Si8851EDB的典型ESD保護(hù)達(dá)到6kV，有助于保護(hù)手持設(shè)備避免因靜電放電而損壞，同時保證在生產(chǎn)過程能對零組件進(jìn)行安全的加工處理。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。

　　Si8851EDB現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十六周。