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不間斷電源中的IGBT應用總結

作者: 時間:2013-01-29 來源:網(wǎng)絡 收藏
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和 既有功率MOSFET 易于驅動,控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點,又有功率晶體管的導通電壓低,通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用 成為UPS 功率設計的首選。
關鍵詞:IGBTUPS

  1. 引言

  在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驅動,控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點,又有功率晶體管的導通電壓低,通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用IGBT 成為UPS 功率設計的首選,只有對IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設計,才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點。本文介紹UPS 中的IGBT 的應用情況和使用中的注意事項。

  2. IGBT 在UPS 中的應用情況

  絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種MOSFET 與雙極晶體管復合的器件。據(jù)東芝公司資料,1200V/100A 的IGBT 的導通電阻是同一耐壓規(guī)格的功率MOSFET 的1/10,而開關時間是同規(guī)格GTR 的1/10。由于這些優(yōu)點,IGBT廣泛應用于系統(tǒng)(UPS)的設計中。這種使用IGBT 的在線式UPS 具有效率高,抗沖擊能力強、可靠性高的顯著優(yōu)點。

  UPS 主要有后備式、在線互動式和在線式三種結構。在線式UPS 以其可靠性高,輸出電壓穩(wěn)定,無中斷時間等顯著優(yōu)點,廣泛用于通信系統(tǒng)、稅務、金融、證券、電力、鐵路、民航、政府機關的機房中。本文以在線式為介紹對象,介紹UPS 中的IGBT 的應用。

  圖1 為在線式UPS 的主電路,在線式UPS 具有獨立的旁路開關、AC/DC 整流器、充電器、DC/AC 逆變器等系統(tǒng),工作原理是:市電正常時AC/DC 整流器將交流電整流成直流電,同時對蓄電池進行充電,再經(jīng)DC/AC 逆變器將直流電逆變?yōu)闃藴收也ń涣麟?,市電異常時,電池對逆變器供電,在UPS 發(fā)生故障時將輸出轉為旁路供電。在線式UPS輸出的電壓和頻率最為穩(wěn)定,能為用戶提供真正高質量的正弦波電源。

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  圖1 在線式電源主電路圖

  ①旁路開關(AC BYPASS SWITCH)

  旁路開關常使用繼電器和可控硅。繼電器在中小功率的UPS 中廣泛應用。優(yōu)點是控制簡單,成本低,缺點是繼電器有轉換時間,還有就是機電器件的壽命問題??煽毓璩R娪谥写蠊β蔝PS 中。優(yōu)點是控制電流大,沒有切換時間。但缺點就是控制復雜,且由于可控硅的觸發(fā)工作特性,在觸發(fā)導通后要在反向偏置后才能關斷,這樣就會產生一個最大10ms 的環(huán)流電流,如圖2。如果采用IGBT,如圖3,則可以避免這個問題,使用IGBT 有控制簡單的優(yōu)點,但成本較高。其工作原理為:當輸入為正半周時,電流流經(jīng)Q1、D2,負半周時電流流經(jīng)D1、Q2。

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  圖2:SCR 的延時關斷現(xiàn)象圖

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  圖3:應用IGBT 的旁路開關

 ?、谡髌鰽C/DC

  UPS 整流電路分為普通橋堆整流、SCR 相控整流和PFC 高頻功率因數(shù)校正的整流器。傳統(tǒng)的整流器由于基頻為50HZ,濾波器的體積重量較重,隨著UPS 技術的發(fā)展和各國對電源輸入功率因數(shù)要求,采用PFC 功率因數(shù)校正的UPS 日益普及,PFC 電路工作的基頻至少20KHZ,使用的濾波器電感和濾波電容的體積重量大大減少,不必加諧波濾波器就可使輸入功率因數(shù)達到0.99,PFC 電路中常用IGBT 作為功率器件,應用IGBT 的PFC 整流器是有效率高、功率容量大、綠色環(huán)保的優(yōu)點。

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  UPS 的充電器常用的有反激式、BOOST 升壓式和半橋式。大電流充電器中可采用單管IGBT,用于功率控制,可以取得很高的效率和較大的充電電流。

 ?、蹹C/AC 逆變器

  3KVA 以上功率的在線式UPS 幾乎全部采用IGBT 作為逆變部分的功率器件,常用全橋式電路和半橋電路,如下圖4。

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3. IGBT 損壞的原因

  UPS 在使用過程中,經(jīng)常受到容性或感性負載的沖擊、過負荷甚至負載短路等,以及UPS 的誤操作,可能導致IGBT 損壞。IGBT 在使用時的損壞原因主要有以下幾種情況:

  過電流損壞;

  IGBT 有一定抗過電流能力,但必須注意防止過電流損壞。IGBT 復合器件內有一個寄生晶閘管,所以有擎住效應。圖5 為一個IGBT 的等效電路,在規(guī)定的漏極電流范圍內,NPN 的正偏壓不足以使NPN 晶體管導通,當漏極電流大到一定程度時,這個正偏壓足以使NPN 晶體管開通,進而使NPN 和PNP 晶體管處于飽和狀態(tài),于是寄生晶閘管開通,門極失去了控制作用,便發(fā)生了擎住效應。IGBT 發(fā)生擎住效應后,漏極電流過大造成了過高的功耗,最后導致器件的損壞。

  過電壓損壞;

  IGBT 在關斷時,由于逆變電路中存在電感成分,關斷瞬間產生尖峰電壓,如果尖峰電壓過壓則可能造成IGBT 擊穿損壞。

  橋臂共導損壞;

  過熱損壞和靜電損壞。

  4. IGBT 損壞的解決對策

  過電流損壞

  為了避免IGBT 發(fā)生擎住效應而損壞,電路設計中應保證IGBT 的最大工作電流應不超過IGBT 的IDM 值,同時注意可適當加大驅動電阻RG 的辦法延長關斷時間,減小IGBT 的di/dt。驅動電壓的大小也會影響IGBT 的擎住效應,驅動電壓低,承受過電流時間長,IGBT 必須加負偏壓,IGBT 生產廠家一般推薦加-5V 左右的反偏電壓。在有負偏壓情況下,驅動正電壓在10—15V 之間,漏極電流可在5~10μs 內超過額定電流的4~10 倍,所以驅動IGBT 必須設計負偏壓。由于UPS 負載沖擊特性各不相同,且供電的設備可能發(fā)生電源故障短路,所以在UPS 設計中采取限流措施進行IGBT的電流限制也是必須的,可考慮采用IGBT 廠家提供的驅動厚膜電路。如FUJI 公司的EXB841、EXB840,三菱公司的M57959AL,57962CL,它們對IGBT 的集電極電壓進行檢測,如果IGBT 發(fā)生過電流,內部電路進行關閉驅動。

  這種辦法有時還是不能保護IGBT,根據(jù)IR 公司的資料,IR 公司推薦的短路保護方法是:首先檢測通態(tài)壓降Vce,如果Vce 超過設定值,保護電路馬上將驅動電壓降為8V,于是IGBT 由飽和狀態(tài)轉入放大區(qū),通態(tài)電阻增大,短路電路減削,經(jīng)過4us 連續(xù)檢測通態(tài)壓降Vce,如果正常,將驅動電壓恢復正常,如果未恢復,將驅動關閉,使集電極電流減為零,這樣實現(xiàn)短路電流軟關斷,可以避免快速關斷造成的過大di/dt 損壞IGBT,另外根據(jù)最新三菱公司IGBT 資料,三菱推出的F 系列IGBT 的均內含過流限流電路(RTC circuit),如圖6,當發(fā)生過電流,10us 內將IGBT 的啟動電壓減為9V,配合M57160AL 驅動厚膜電路可以快速軟關斷保護IGBT。

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  圖5:IGBT 等效電路圖

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  圖6 三菱F 系列IGBT 的RCT 電路

  過電壓損壞

  防止過電壓損壞方法有:優(yōu)化主電路的工藝結構,通過縮小大電流回路的路徑來減小線路寄生電感;適當增加IGBT 驅動電阻Rg 使開關速度減慢(但開關損耗也增加了);設計緩沖電路,對尖峰電壓進行抑制。用于緩沖電路中的二極管必須是快恢復的二極管,電容必須是高頻、損耗小,頻率

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