新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計應(yīng)用 > 不間斷電源中的IGBT應(yīng)用總結(jié)

不間斷電源中的IGBT應(yīng)用總結(jié)

作者: 時間:2013-01-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。常見電路有耗能式和回饋式緩沖電路。回饋式又有無源式和有源式兩種,詳細(xì)電路設(shè)計可參見所選用器件的技術(shù)手冊。

  橋臂共導(dǎo)損壞

  在UPS 中,逆變橋同臂支路兩個驅(qū)動必須是互鎖的,而且應(yīng)該設(shè)置死區(qū)時間(即共同不導(dǎo)通時間)。如果發(fā)生共導(dǎo), 會迅速損壞。在控制電路應(yīng)該考慮到各種運行狀況下的驅(qū)動問題控制時序問題。

  過熱損壞

  可通過降額使用,加大散熱器,涂敷導(dǎo)熱膠,強(qiáng)制風(fēng)扇制冷,設(shè)置過溫度保護(hù)等方法來解決過熱損壞的問題。

  此外還要注意安裝過程中的靜電損壞問題,操作人員、工具必須進(jìn)行防靜電保護(hù)。

  5. 結(jié)論

   兼具有功率MOSFET 和GTR 的優(yōu)點,是UPS 中的充電、旁路開關(guān)、逆變器,整流器等功率變換的理想器件。

  只有合理運用,并采取有效的保護(hù)方案,才可能提高IGBT 在UPS 中的可靠性。

晶體管相關(guān)文章:晶體管工作原理


晶體管相關(guān)文章:晶體管原理

上一頁 1 2 下一頁

關(guān)鍵詞: 不間斷 電源 IGBT

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉