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鐵電存儲器工作原理和器件結(jié)構(gòu)

作者: 時間:2012-04-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
1 簡介

隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展,對于非易失性的需求越來越大,讀寫速度要求越來越快,功耗要求越來越小,現(xiàn)有的傳統(tǒng)非易失性存儲器,如EEPROM、FLASH等已經(jīng)難以滿足這些需要了。

傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類:易失性和非易失性。易失性存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM(Static Random Access Memory)和動態(tài)存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)。RAM類型的存儲器易于使用、性能好,可是它們同樣會在掉電的情況下失去所保存的數(shù)據(jù)。

非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流非易失性存儲器均源自于只讀存儲器(ROM)技術(shù)。正如你所猜想的一樣,被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進行寫入操作,而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術(shù)包括有EPROM、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢,而且只能有限次的擦寫,寫入時功耗大。

相對于其他類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言,存儲器具有一些獨一無二的特性。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型問搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。同傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,鐵電存儲器具有功耗小、讀寫速度快、抗輻照能力強等優(yōu)點,因此受到很大關(guān)注。

2 鐵電存儲器

當(dāng)一個電場被加到鐵電晶體時,中心原子順著電場的方向在晶體里移動。當(dāng)原子移動時,它通過一個能量壁壘,從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲器。移去電場后,中心原子保持不動,存儲器的狀態(tài)也得以保存。

因此,在一個外加電場下,鐵電材料的極化特性會發(fā)生改變,當(dāng)這個電場去掉以后,這個信息仍然能夠保存。沒有外加電場的情況下,極化特性有兩種穩(wěn)定的狀態(tài)。圖1是一個鐵電材料電容的電滯回線,顯示了鐵電電容在所加不同電場的情況下的不同極性。其中,最重要的兩個參數(shù)是剩余極化程度Pr,和矯頑場Ec。在沒有電場強度的情況下,+/-Pr就表示了“0”、“1”兩個狀態(tài)。為了獲得這兩個狀態(tài),所加電場必須大于+/-Ec,因此,所需要的閾值電壓也就確定了。

相比之下,鐵電電容的漏電流沒有EEPROM、FLASH之類的傳統(tǒng)非易失性存儲器那么重要,因為FeRAM的信息存儲是由極化來實現(xiàn)的,而不是自由電子。

3 鐵電材料簡介

理想的鐵電材料需要滿足如下特點:

?介電常數(shù)小;

?合理的自極化程度(~5μC/cm2);

?高的居里溫度(在器件的存儲和工作溫度范圍之外);

?鐵電材料厚度要薄(亞微米)以使矯頑場Ec較小;

?能夠承受一定的擊穿場強;

?內(nèi)在開關(guān)速度要快(納秒級別);

?數(shù)據(jù)的保持能力和持久能力要好;

?如果是軍方使用的話,還要求能夠抗輻照;

?化學(xué)穩(wěn)定性要好;

?加工均勻性好;

?易于集成到CMOS工藝中去;

?對周圍電路無不良影響;

?污染小等。

經(jīng)過多年的研究,目前主流的鐵電材料主要有以下兩種:PZT、SBT。

PZT是鋯鈦酸鉛PbZrxTil-xO3;SBT是鉭酸鍶鉍Sr1-yBi2+xTa2O9。這兩種材料的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示。

PZT是研究最多、使用最廣泛的,它的優(yōu)點是能夠在較低的溫度下制備,可以用濺射和MOCVD的方法來制備,具有剩余極化較大、原材料便宜、晶化溫度較低的優(yōu)點;缺點是有疲勞退化問題,還有含鉛會對環(huán)境造成污染。

SBT最大的優(yōu)點是沒有疲勞退化的問題,而且不含鉛,符合歐盟環(huán)境標(biāo)準(zhǔn);但是它的缺點是工藝溫度較高,使之工藝集成難度增大,剩余極化程度較小。兩種材料的對比見表1。

目前從環(huán)境保護的角度來說,PZT已經(jīng)被禁止使用了,但是從鐵電存儲器的性能和工藝集成的難易和成本的角度來說,SBT與PZT相比沒有優(yōu)勢,因此目前關(guān)于鐵電材料的選擇還值得探討。

4 鐵電存儲器的電路結(jié)構(gòu)

鐵電存儲器的電路結(jié)構(gòu)主要分成以下三種:2晶體管-2電容(2T2C)、1晶體管-2電容(

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