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DS1250 4096k、非易失SRAM

作者: 時(shí)間:2012-03-31 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

非易失為4,194,304位、全靜態(tài)非易失,按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV 均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍,一旦超出容差范圍,鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫(xiě)保護(hù)將無(wú)條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。DIP封裝的器件可以直接用來(lái)替代現(xiàn)有的512k x 8靜態(tài)RAM,符合通用的單字節(jié)寬、32引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。 PowerCap模塊封裝的器件為表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構(gòu)成一個(gè)完整的非易失SRAM模塊。該器件沒(méi)有寫(xiě)次數(shù)限制,可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

  關(guān)鍵特性

  無(wú)外部電源時(shí)最少可以保存數(shù)據(jù)10年

  掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)

  替代512k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM及閃存

  沒(méi)有寫(xiě)次數(shù)限制

  低功耗CMOS操作

  70ns的讀寫(xiě)存取時(shí)間

  第一次上電前,鋰電池與電路斷開(kāi)、維持保鮮狀態(tài)

  ±10% VCC工作范圍(DS1250Y)

  可選擇的±5% VCC工作范圍(DS1250AB)

  可選的工業(yè)級(jí)溫度范圍:-40°C至+85°C,指定為IND

  JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的32引腳DIP封裝

  PowerCap模塊(PCM)封裝

  表面貼裝模塊

  可更換的即時(shí)安裝PowerCap提供備份鋰電池

  所有非易失SRAM器件提供標(biāo)準(zhǔn)引腳

  分離的PCM用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸

DS1250 4096k、非易失SRAM



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