DS1250 4096k、非易失SRAM
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍,一旦超出容差范圍,鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫(xiě)保護(hù)將無(wú)條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。DIP封裝的DS1250器件可以直接用來(lái)替代現(xiàn)有的512k x 8靜態(tài)RAM,符合通用的單字節(jié)寬、32引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。 PowerCap模塊封裝的DS1250器件為表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構(gòu)成一個(gè)完整的非易失SRAM模塊。該器件沒(méi)有寫(xiě)次數(shù)限制,可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。
關(guān)鍵特性
無(wú)外部電源時(shí)最少可以保存數(shù)據(jù)10年
掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)
替代512k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM及閃存
沒(méi)有寫(xiě)次數(shù)限制
低功耗CMOS操作
70ns的讀寫(xiě)存取時(shí)間
第一次上電前,鋰電池與電路斷開(kāi)、維持保鮮狀態(tài)
±10% VCC工作范圍(DS1250Y)
可選擇的±5% VCC工作范圍(DS1250AB)
可選的工業(yè)級(jí)溫度范圍:-40°C至+85°C,指定為IND
JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的32引腳DIP封裝
PowerCap模塊(PCM)封裝
表面貼裝模塊
可更換的即時(shí)安裝PowerCap提供備份鋰電池
所有非易失SRAM器件提供標(biāo)準(zhǔn)引腳
分離的PCM用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸
評(píng)論