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什么是igbt

作者: 時(shí)間:2012-01-25 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
TEXT-ALIGN: left" align=left>IGBT模塊的集電極電流增大時(shí),VCE(-)上升,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),開(kāi)關(guān)損耗增大,原件發(fā)熱加劇。因此,根據(jù)額定損耗,開(kāi)關(guān)損耗所產(chǎn)生的熱量,控制器件結(jié)溫(Tj)在 150oC以下(通常為安全起見(jiàn),以125oC以下為宜),請(qǐng)使用這時(shí)的集電流以下為宜。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí),由于開(kāi)關(guān)損耗增大,發(fā)熱也加劇,需十分注意。
一般來(lái)說(shuō),要將集電極
電流的最大值控制在直流額定電流以下使用,從經(jīng)濟(jì)角度這是值得推薦的。

b.電壓規(guī)格

IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即市電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系列于表1。根據(jù)使用目的,并參考本表,請(qǐng)選擇相應(yīng)的元件。

元器件電壓規(guī)格

600V

1200V

1400V

電源

電壓

200V;220V;230V;240V

346V;350V;380V;400V;415V;440V

575V

2. 防止靜電

IGBT的VGE的耐壓值為±20V,在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場(chǎng)合,由于會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn),因而在柵極-發(fā)射極之間不能超出耐壓值的電壓,這點(diǎn)請(qǐng)注意。

在使用裝置的場(chǎng)合,如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時(shí)(珊極處于開(kāi)路狀態(tài)),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會(huì)損壞,為防止這類(lèi)損壞情況發(fā)生,應(yīng)在柵極一發(fā)射極之間接一只10kΩ左左的電阻為宜。

此外,由于IGBT模塊為MOS結(jié)構(gòu),對(duì)于靜電就要十分注意。因此,請(qǐng)注意下面幾點(diǎn):

1)在使用模塊時(shí),手持分裝件時(shí),請(qǐng)勿觸摸驅(qū)動(dòng)端子部份。

2)在用導(dǎo)電材料連接驅(qū)動(dòng)端子的模塊時(shí),在配線未布好之前,請(qǐng)先不要接上模塊。

3)盡量在底板良好接地的情況下操作。

4)當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電放電后,再觸摸。

5)在焊接作業(yè)時(shí),焊機(jī)與焊槽之間的漏泄容易引起靜電壓的產(chǎn)生,為了防止靜電的產(chǎn)生,請(qǐng)先將焊機(jī)處于良好的接地狀態(tài)下。

6)裝部件的容器,請(qǐng)選用不帶靜電的容器。

3.并聯(lián)問(wèn)題

用于大容量逆變器等控制大電流場(chǎng)合使用IGBT模塊時(shí),可以使用多個(gè)器件并聯(lián)。

并聯(lián)時(shí),要使每個(gè)器件流過(guò)均等的電流是非常重要的,如果一旦電流平衡達(dá)到破壞,那么電過(guò)于集中的那個(gè)器件將可能被損壞。
為使并聯(lián)時(shí)電流能平衡,適當(dāng)改變器件的特性及接線方法。例如。挑選器件的VCE(sat)相同的



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