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采用電容的電磁全隔離直流電源傳輸電路設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2011-05-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
本文提出了一種基于電容的全隔離直流電源傳輸電路,它依靠幾組電容存儲(chǔ)電荷來實(shí)現(xiàn)傳輸電能。由于電路輸入、輸出端不存在電磁耦合通路,電路實(shí)現(xiàn)了完全的電磁隔離。

 高性能的電子電路要求高度潔凈的電源。然而目前在供電線路上的各種電器設(shè)備會(huì)產(chǎn)生許多高次諧波,對(duì)供電質(zhì)量造成影響。開關(guān)型穩(wěn)壓電源以及DC-DC變換器都在輸入回路中采用開關(guān)管作為斬?cái)嚯娏鞯钠骷?。高頻變壓器把脈動(dòng)的電流信號(hào)由初級(jí)回路傳輸?shù)酱渭?jí)回路,再通過采樣反饋到初級(jí),實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓調(diào)節(jié)。在典型的電源電路中[1][2][3],盡管輸入端與輸出端不共地,但高頻變壓器作為電磁耦合通道,其傳遞函數(shù)有一定的頻率選擇性。輸入端電源窄脈沖干擾含有十分豐富的頻率分量,會(huì)耦合到輸出端,使電源的供電質(zhì)量下降,存在使微機(jī)程序跑飛的可能性。

  1 電路總體結(jié)構(gòu)

  本直流傳輸電路的系統(tǒng)框圖如圖1所示。

直流傳輸電路系統(tǒng)框圖

圖1 直流傳輸電路系統(tǒng)框圖

  圖1中A是MOS管的陣列,B是電容的陣列,C是光電耦合器的陣列,D是穩(wěn)壓電路,E是電壓比較器,F(xiàn)是單片機(jī)。

  光電耦合器控制MOS管的導(dǎo)通與斷開,從而控制電容的工作狀態(tài)。而光電耦合器的控制信號(hào)來自單片機(jī)。單片機(jī)的觸發(fā)信號(hào)來自穩(wěn)壓電路與電壓比較器組成的判決電路。

  穩(wěn)壓電路將輸出電壓穩(wěn)定為固定值,分壓后作為閾值電壓Vth。電壓比較器將輸出電壓Vout 與閾值電壓Vth 比較,若Vout 小于Vth ,觸發(fā)單片機(jī)。單片機(jī)收到觸發(fā)信號(hào)后,控制光電耦合器的導(dǎo)通與斷開,從而控制MOS管的導(dǎo)通與斷開,改變電容的工作狀態(tài)。

  2 供電及電磁隔離的原理

  為了利用電容給負(fù)載供電并且同時(shí)保證負(fù)載兩端電壓的穩(wěn)定,采用多個(gè)電容是理想的解決方法。可以將多個(gè)電容分為兩組,在同一時(shí)刻,保證有一組電容給負(fù)載供電而另外一組接受外部電源的充電。在單片機(jī)控制下的MOS管實(shí)現(xiàn)輸入輸出間的電磁隔離。

  圖2表示電容、MOS管、光電耦合器的連接圖,即圖1中的A、B、C的連接。

電容

圖2 電容、MOS管、光電耦合器的連接圖

  其中#1、#2、#3、#4接單片機(jī)的四個(gè)輸出端口。

  當(dāng)#1為高電平,#2為低電平時(shí),輸入端的兩個(gè)MOS管導(dǎo)通,電容處于充電狀態(tài)。

  當(dāng)#1為低電平,#2為高電平時(shí),輸出端的兩個(gè)MOS管導(dǎo)通,電容處于給負(fù)載供電狀態(tài)。

  當(dāng)#1為低電平,#2為低電平時(shí),輸入端和輸出端的MOS管關(guān)斷,電容處于懸空狀態(tài)。

  而#1、#2都為高電平的情況是不允許的,這相當(dāng)于把輸入端與輸出端連接起來,輸入端的電磁干擾就會(huì)傳遞到輸出端。在單片機(jī)編程時(shí)可以避免這種情況。

  #3、#4的情況同#1、#2。

  如圖1和圖2所示,電路輸入端與輸出端采用不同的“地”,避免電磁干擾通過共接的“地”傳遞到輸出端。

  下面對(duì)兩組電容工作的時(shí)序進(jìn)行詳細(xì)的分析。以四個(gè)電容為例,分兩組,每組兩個(gè)電容。

  圖3體現(xiàn)了本電路在時(shí)序上的兩個(gè)特點(diǎn)。第一,在同一組電容中,充電與供電狀態(tài)之間存在一個(gè)懸空狀態(tài),即電容與輸入、輸出端都斷開,從而使輸入、輸出端之間不可能存在電磁耦合通路。第二,兩組電容輪流供電時(shí),有一段共同供電的時(shí)間,保證在任意時(shí)刻都有電容給負(fù)載供電,從而避免了兩組電容同時(shí)切換帶來的輸出電壓的突變,提高了輸出電壓的穩(wěn)定性。

兩組電容的工作時(shí)序

圖3表示出兩組電容的工作時(shí)序。

  圖4表示了與圖3對(duì)應(yīng)的兩組電容的電壓變化。

兩組電容的電壓隨時(shí)間變化圖

圖4 兩組電容的電壓隨時(shí)間變化圖

  3 單片機(jī)編程流程

  圖5中,“1H,2L,3H,4L”表示控制端口1為高電平,2為低電平,3為高電平,4為低電平。其它依此類推。

  單片機(jī)按照?qǐng)D3工作。在單片機(jī)編程時(shí),用到三個(gè)延時(shí):充電延時(shí)t1 ,、懸空延時(shí)t2 ,和供電延時(shí) t5。

  本文介紹了一種基于電容的電磁干擾全隔離直流傳輸電路。電容擁有的電荷存儲(chǔ)特性以及MOS管和光電耦合器的運(yùn)用,使得該電路可以將輸出端與來自輸入端的電磁干擾完全隔離,從而有效地抑制了來自電源的傳導(dǎo)干擾,可以廣泛地使用在電磁環(huán)境惡劣的電源電路中。



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