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LCD監(jiān)視器開關(guān)電源功率開關(guān)調(diào)整器FS6M07652RTC特

作者: 時間:2011-05-23 來源:網(wǎng)絡 收藏

摘要:FS6M07652RTC由SenseFET及其控制IC組成,專門為LCD監(jiān)視器電源和適配器設(shè)計。敘述了FS6M07652RTC的特點、應用電路和設(shè)計考慮。

關(guān)鍵詞:LCD監(jiān)視器;開關(guān)電源功率開關(guān);調(diào)整器

 

1 引言

FS6M07652RTC是美國Fairchild公司為LCD監(jiān)視器回掃式SMPS而專門設(shè)計的一種功率開關(guān)調(diào)整器。同其它Fairchild功率開關(guān)(簡稱FPS)一樣,F(xiàn)S6M07652RTC是將帶電流感測功能的MOSFET(被稱作SenseFET)及其控制IC內(nèi)置于同一封裝之內(nèi),屬于二合一組合器件。快捷(即仙童)FPS是在韓國三星功率開關(guān)(SPS)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的功率開關(guān)調(diào)節(jié)器系列器件。幾年前,快捷收購了三星的半導體功率器件部之后,將SPS更名為FPS。與現(xiàn)存和先前的FPS系列器件比較,F(xiàn)S6M系列FPS在性能和可靠性方面都有較大改進和提高。FS6M07652RTC中的SenseFET額定電流/電壓(限制值)是2A/650V,并可承受7A的連續(xù)漏極電流。

2 主要性能與特點

FS6M07652RTC采用空間節(jié)省的5腳TO-220F封裝,如圖1所示。

圖1 封裝及引腳排列

FS6M07652RTC內(nèi)置SenseFET和控制IC,圖2示出了其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖。

圖2 FS6M07652RTC內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖

FS6M07652RTC腳1(DRAIN)是SenseFET的漏極;腳2(GND)為接地端;腳3(Vcc)是電源電壓施加端;腳4(Vfb)為反饋端;腳5(S/S)是軟啟動電容器連接端。

FS6M07652RTC的主要性能與特點如下:

1)內(nèi)置耐壓至少是650V的SenseFET和前沿消隱(LEB)電路,無需在外部連接電流感測電阻和RC低通濾波元件;

2)PWM控制器帶70kHz的固定工作頻率(無需在外部連接RTCT定時元件),占空比可達80%;

3)控制IC的VCC啟動門限電壓為15V,啟動電流低于170μA,欠電壓鎖定(UVLO)門限是9V,帶6V的滯后;

4)為在顯示電源管理信號傳輸(display Power Management Signalling,縮寫為DPMS)狀態(tài)下有一個低功率消耗,內(nèi)置突發(fā)模式控制器,提供待機模式下的突發(fā)模式操作;

5)內(nèi)置各種保護電路,其中包括:

——33V的過電壓保護(OVP);

——逐周電流限制、過電流閉鎖保護(OCP)和過載保護(OLP);

——門限為160℃的熱關(guān)閉保護(TSD)。

故障條件一旦解除,控制IC可以自動重新啟動。

FS6M07652RTC帶有最佳化的柵極驅(qū)動器和軟啟動功能,器件適用于寬范圍的世界通用AC輸入線路電壓。

3 應用電路及變壓器設(shè)計

3.1 應用電路及工作原理

FS6M07652RTC主要適用于LCD監(jiān)視器電源和AC/DC適配器,用其作為功率開關(guān)調(diào)整器的LCD監(jiān)視器回掃式SMPS電路如圖3所示。

圖3 由FS6M07652RTC組成的LCE監(jiān)視器回掃SMPS電路

這種回掃式變換器的AC輸入電壓范圍為85~265V,兩路DC輸出分別為12V/2A和3.3V/2A。5V、130mA的KA7805輸出是為在突發(fā)模式下操作檢驗之用而設(shè)置的。

與整流濾波后的DC總線電壓連接的電阻R102,為FS6M07652RTC(IC101)腳Vcc的啟動元件。通過R102的電流對腳Vcc電容C108充電,當C108上的充電電壓超過15V時,F(xiàn)PS內(nèi)的SenseFET則開始開關(guān)。在FPS啟動之后,變壓器T1的輔助繞組(端5與端6)、D202、R104C108等組成的電源電路為FPS內(nèi)的IC提供足夠的工作電流。FPS腳Vcc的OVP電壓在30V以上(典型值為33V),Vcc電壓可選擇24V左右。當Vcc降至9V的UVLO關(guān)閉門限時,F(xiàn)PS內(nèi)IC的工作電流從10mA降至100μA。

當一個負載或一只二極管發(fā)生短路時,將會在短時間內(nèi)產(chǎn)生一個大電流流過FPS中的SenseFET,并被感測電阻(Rs)檢測,OCL電路啟動,履行過電流閉鎖保護。

過載不同于負載短路,它是指負載電流遠大于預設(shè)定的電平。在過載情況下,OLP電路將使FPS停止工作。

FPS利用電流型控制,最大開關(guān)電流在內(nèi)部被限制,從而限制了在固定輸入電壓下的功率。如果電源DC輸出電壓低于設(shè)定值,在反饋環(huán)路上的IC201(KA431)將產(chǎn)生非常小的電流,IC301中光耦合晶體管中的電流幾乎變?yōu)榱?,F(xiàn)PS腳Vfb內(nèi)2μA的電流源(參考圖2)將對外部電容C107(參見圖3)充電。當腳Vfb上電壓因C107充電達到7.5V時,F(xiàn)PS將關(guān)閉。在C107=47nF下,關(guān)閉延時約100ms。在常態(tài)下,Vfb約為0.2~3V。當Vfb=3~7V時,器件在最大占空比上工作。一旦Vfb達到7V,內(nèi)部電路則關(guān)閉反饋電路。

在反饋環(huán)路上,Q201、D203、R206R207R208及SW201組成的反饋網(wǎng)絡用作突發(fā)(burst)模式操作。在正常工作期間,Q201導通,R206從反饋網(wǎng)絡被分離,3.3V的輸出通過反饋網(wǎng)絡傳輸?shù)紽PS的腳Vfb。當Q201關(guān)斷時,R206連接到反饋網(wǎng)絡,12V的輸出也被反饋,從而使光耦晶體管飽和導通,F(xiàn)PS腳Vfb降為零,轉(zhuǎn)換到突發(fā)模式。利用微控制器拉低腳Vfb,并沒有使用附加的光耦合器。在突發(fā)狀態(tài)下操作,輸出電壓降低,只消耗很小的功率。

3.2 變壓器設(shè)計考慮

在SMPS設(shè)計與制作中,變壓器是一個關(guān)鍵性元件。對于圖3所示的LCD監(jiān)視器回掃式SMPS電路,變壓器(T1)參數(shù)的確定根據(jù)下面的設(shè)定條件:

1)AC輸入電壓(Vin)范圍 85~265V(頻率60Hz);

2)輸出功率Po=Po1Po2=2A×12V+2A×3.3V=30.6W(按30W計);

3)變換器效率η=70%。

對于變壓器設(shè)計的詳細步驟在這里不準備逐一介紹,只簡要說明變壓器設(shè)計思路及設(shè)計考慮。

在確定變壓器初級峰值電流Ipk時,首先要確定最低DC輸入電壓(即輸入電容Cin=C103上的電壓)。當SMPS在恒定輸出功率上操作時,最大峰值初級電流發(fā)生在最低DC電壓上。圖4示出了Cin充電和放電波形。

圖4 濾波電容Cin(C103)上充/放電波形

Cinf=120Hz下充電和放電時,在Vmin處的紋波電壓ΔV最大。Cin充電峰值電壓

Vmin(pk)=×Vin(min)=×85V=120V。

若紋波電壓(峰-峰值)按不小于線路電壓的20%處理,可設(shè)ΔV=20V。于是,Cin放電谷底電壓Vmin=Vmin(pk)-ΔV=120V-20V=100V。Cin放電時間td可按照式(1)計算:

td=×(1)

將已知數(shù)據(jù)代入式(1)可得:td=6.78ms。

Cin在放電期間輸入能量Ein為:

Ein=Pin·td=(Po/ηtd=(30/0.7)×6.78×10-3=0.29J

根據(jù)Ein=·Cin·,可得:

Cin===132μF

132μF是非標準電容。在圖3所示的應用電路中,CinC103)選用的是82μF的鋁高壓電解電容器。在此種情況下,Cin放電終止電壓Vmin因紋波電壓的增大不再是100V。假定Cin放電時的輸入能量不變,根據(jù)Ein的計算公式得到的結(jié)果是:Vmin=86V。利用該結(jié)果計算Ipk時,余量較大。

最大峰值初級電流IpkVmin和最大占空比Dmax下出現(xiàn)。由于電流控制型SMPS的Dmax應低于50%,若選取Dmax=0.45,可得:

Ipk===2.2A

初級方均根值電流Irms可以按式(2)計算:

Irms=Ipk· (2)

Ipk=2.2A和Dmax=0.45代入式(2)得到

Irms=0.85A。

在大多數(shù)關(guān)于變壓器初級電感量Lp的計算中,初級電流都選用Ipk。在變換器初級電感傳輸?shù)酱渭壍墓β时3植蛔儠r,確定Lp時可以使用Irms,從而使Lp的計算結(jié)果有較大余量。由于FPS的固定操作頻率fs=70kHz,故Lp為:

Lp===0.65mH

Ipk、IrmsLp等參數(shù)確定之后,通常根據(jù)面積乘積公式Ap=Ae·AW≥(Lp·Ipk·Irms×104/420·K·Bmax)1.31等來確定磁芯的選取。針對本設(shè)計實例,通過簡單的計算和經(jīng)驗,可選用EFD3030磁芯,其有效截面積Ae=1.07cm2,窗口面積(線圈骨架繞組面積)AW=2.23cm2,最大磁通密度Bmax=0.168T。

初級繞組匝數(shù)可由式(3)計算:

Np= (3)

Lp=0.65×10-3H、Ipk=2.2A、Bmax=0.168T和Ae=1.07cm2代入式(3),可得:Np=79.6匝??蛇x取Np=80匝。

在最大占空因數(shù)Dmax上的初、次級繞組匝數(shù)比n為:

n== (4)

式中:Vd為次級整流二極管的壓降(選取0.6V);

Vo為次級DC輸出電壓。

設(shè)12V輸出次邊繞組匝數(shù)為NV1,3.3V輸出繞組匝數(shù)NV2,F(xiàn)PS偏置繞組匝數(shù)為NVCC,根據(jù)式(4)可得:

NV1=Np×==13匝

同理可得:NV2=4匝,NVCC=24匝(Vcc按24V計)。

圖5示出了變壓器的結(jié)構(gòu),其主要參數(shù)如下:

圖5 變壓器結(jié)構(gòu)示意圖

磁芯與骨架:EFD3030;

繞組線徑和匝數(shù):

初級繞組Np(腳1→2,腳3→2):φ0.3×1,80T(40T+40T),Lp=0.65mH,最大漏感為10μH;

NV1繞組(腳12→10):φ0.3×2,13T;

NV2繞組(腳8→7):φ0.3×4,4T;

Nvcc繞組(腳5→6):φ0.2×2,24T

變壓器繞組之間和外層用2層0.05mm厚的聚酯型薄膜隔離。



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