D類放大器的散熱考慮

在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TQFN封裝中，底面裸露的焊盤是IC散熱的主要通道，熱量通過(guò)它傳入作為散熱片的放大器所在印制電路板銅箔區(qū)。將IC焊在大面積銅焊盤上有助于減少熱阻，還可以用多個(gè)過(guò)孔將熱量傳導(dǎo)到PC電路板的另一側(cè)，再用更多銅箔面積來(lái)進(jìn)一步降低熱阻。除此以外，可以將器件的任何管腳連接到熱傳送區(qū)，使這些腳與熱焊盤之間有相同的電勢(shì)，如圖2右上方和右下方的引腳。

雖然IC的引腳并不是主要的導(dǎo)熱通道，但它們也能散發(fā)少量熱量，因此，連接IC的所有走線都應(yīng)盡量寬。圖3顯示IC輸出的寬走線連接到兩個(gè)電感上。這種情況下，電感的銅繞線也可以為D放大器提供額外的散熱通道。熱耗散性能即使只改進(jìn)幾個(gè)百分點(diǎn)，也會(huì)在可接受的性能實(shí)現(xiàn)和遇到的熱問(wèn)題之間產(chǎn)生明顯差別。如要進(jìn)一步降低熱阻，可以在鄰近IC的印制電路板上焊一個(gè)散熱片。例如，Wakefield Engineering的218系列散熱片有較低的邊沿，可以形成傳導(dǎo)通道。

一些基本計(jì)算可以幫助你估計(jì)出D類放大器IC裸芯溫度。例如，考慮一個(gè)工作在40℃環(huán)境溫度下的放大器，輸出功率為16W，效率為87%。假定IC結(jié)點(diǎn)到環(huán)境空氣的熱阻為21℃/W。首先，計(jì)算D類放大器的功耗：P_DISS=[(P_OUT/h)-P_OUT]=(16W/87%)-16W=2.4W，其中，P_DISS是耗散功率，P_OUT是輸出功率，而h是效率。用功耗計(jì)算出裸芯溫度T_C如下：T_C=T_A+P_DISS×Θ_JA=40℃+2.4W×21℃/W=90.4℃，這個(gè)值是在150℃的器件最大結(jié)溫之內(nèi)。系統(tǒng)很少能舒適地工作在25℃環(huán)境溫度中，重要的是在計(jì)算前，要對(duì)系統(tǒng)的實(shí)際內(nèi)部環(huán)境溫度作出合理的估計(jì)。

D類放大器MOSFET輸出級(jí)的導(dǎo)通電阻會(huì)影響到它的效率與峰值電流能力。降低峰值負(fù)載電流可以減少無(wú)限脈沖響應(yīng)（I²R）損耗，提高M(jìn)OSFET 的效率。如果要進(jìn)一步降低峰值電流，可以選擇最高阻值的揚(yáng)聲器，它可以在D類放大器電壓擺幅極限和供電電壓內(nèi)提供所需的輸出功率。在圖4中，D類放大器具有2A的輸出電流能力，供電電壓范圍為5V~24V，用一個(gè)4Ω負(fù)載和8V供電電壓就可限制電流，對(duì)應(yīng)的最大連續(xù)輸出為8W。

如果8W輸出功率是可以接受的，則可以考慮使用一個(gè)12Ω揚(yáng)聲器和15V供電電壓。此時(shí)的峰值電流限制在1.25A，對(duì)應(yīng)的最大連續(xù)輸出功率為9.4W。此外，12Ω負(fù)載的工作效率要比4Ω負(fù)載高出10%~15%，因而也能降低IC功耗。實(shí)際的效率提高值會(huì)根據(jù)不同D類放大器IC而變化。

揚(yáng)聲器是一個(gè)復(fù)雜的機(jī)電系統(tǒng)，它在自己的頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出不同的諧振特性，而只在很窄的頻帶內(nèi)才呈現(xiàn)出標(biāo)稱阻抗，這一點(diǎn)經(jīng)常讓設(shè)計(jì)者摸不著頭腦（圖5）。在多數(shù)音頻帶寬上，該揚(yáng)聲器的阻抗都會(huì)超出它的8Ω標(biāo)稱值，增加一個(gè)交叉網(wǎng)絡(luò)和高頻揚(yáng)聲器會(huì)使總負(fù)載阻抗低于標(biāo)稱值。當(dāng)考慮放大器電源電流和熱耗散能力時(shí)，一定要牢記負(fù)載的阻抗特性。