單片機(jī)下程序RAM， ROM ，F(xiàn)lash

8K的flash是有8*1024個(gè)字節(jié)，一條指令可能有1~4個(gè)機(jī)器碼，即1~4個(gè)字節(jié)，其中1~2機(jī)器碼的指令使用最為頻繁，所以這樣算，大約可以寫(xiě)4000~8000條指令。一般的應(yīng)用是寫(xiě)不到這么多的指令的。但是用于存儲(chǔ)其他數(shù)據(jù)，例如漢字，數(shù)字點(diǎn)陣代碼可能會(huì)超出預(yù)算。對(duì)于真的不夠用的情況，建議樓主直接買(mǎi)塊大容量的片。擴(kuò)充flash不是很可取，增加了系統(tǒng)的不穩(wěn)定因素，又提升了板的面積，布線難度。假如真的要擴(kuò)容，可以有很多辦法。擴(kuò)展EEPROM(現(xiàn)常用256K~1M)，或擴(kuò)展基于SPI總線的flash memory(主流32M~128M)，此兩個(gè)總線驅(qū)動(dòng)程序簡(jiǎn)單，方便擴(kuò)展。

單片機(jī)FLASH主要用作程序存貯器,就是替代以前的ROM,最大的有有點(diǎn)是降低了芯片的成本并且可以做到電擦寫(xiě),目前市場(chǎng)上單片機(jī)的FALSH壽命相差比較大,擦寫(xiě)次數(shù)從1000~10萬(wàn)的都有,但存儲(chǔ)時(shí)間可以保證40年,在選用時(shí)要注意.還有一些廉價(jià)的單片機(jī)為了集成可掉電的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,沒(méi)有選用價(jià)格昂貴的EEPROM,而用FALSH來(lái)做的,但要注意其壽命最多就10萬(wàn)次,而且擦寫(xiě)不能字節(jié)擦寫(xiě),這要注意使用的場(chǎng)合其壽命是否滿足要求.

RAM是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,跟計(jì)算機(jī)里面的內(nèi)存差不多,主要是用來(lái)存放程序運(yùn)行中的過(guò)程數(shù)據(jù),掉電后就會(huì)丟失之前的數(shù)據(jù),所以程序在上電時(shí)需要進(jìn)行初始化,否則上電后的數(shù)據(jù)是一個(gè)隨機(jī)數(shù),可能導(dǎo)致程序奔潰.

ROM就是程序存儲(chǔ)器,掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失,但在程序運(yùn)行過(guò)程中其數(shù)據(jù)不會(huì)改變.早期的單片機(jī)的ROM因?yàn)椴翆?xiě)修改麻煩,價(jià)格昂貴或者價(jià)格低廉的OTP型無(wú)法修改數(shù)據(jù)等原因已經(jīng)被現(xiàn)在的FLASH存儲(chǔ)器替代了.因?yàn)镕LASH的擦寫(xiě)很容易,現(xiàn)在的部分單片機(jī)支持在線內(nèi)部編程,通過(guò)特定的程序執(zhí)行方式可以修改FALSH的內(nèi)容,而實(shí)現(xiàn)在線修改程序存儲(chǔ)器.這與上面說(shuō)的程序存儲(chǔ)器的內(nèi)容在運(yùn)行的時(shí)候不可被改變是不沖突的,因?yàn)樵诔绦蛘＿\(yùn)行時(shí),其內(nèi)容不會(huì)改變,只工作在只讀狀態(tài)下的.