嵌入式系統(tǒng)flash接口電路的實(shí)現(xiàn)

　　0引言

　　我們在進(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的過程中，根據(jù)需求，要設(shè)計出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計包含硬件系統(tǒng)設(shè)計和軟件系統(tǒng)設(shè)計兩個部分，并且這兩部分設(shè)計是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的，嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計經(jīng)常需要在硬件和軟件設(shè)計之間進(jìn)行權(quán)衡與折中。因此，這就要求嵌入式系統(tǒng)設(shè)計者具有較深厚的硬件和軟件基礎(chǔ)，并具有熟練應(yīng)用的能力。在整個設(shè)計過程中，硬件設(shè)計是系統(tǒng)設(shè)計的基礎(chǔ)和核心，而各功能部件在整個設(shè)計中的調(diào)試又是該環(huán)節(jié)的重點(diǎn)和難點(diǎn)。本文詳細(xì)介紹嵌入式系統(tǒng)Flash存儲器的接口電路的調(diào)試。

　　1 Flash存儲器接口電路的引腳信號及各項(xiàng)特性

　　1.1 Flash存儲器接口電路的特點(diǎn)

　　Flash存儲器是一種可在系統(tǒng)（In-System）中進(jìn)行電擦寫，掉電后信息不會丟失的存儲器。它具有低功耗、大容量、擦寫速度快、可整片或分扇區(qū)在系統(tǒng)編程（燒寫）、擦除等特點(diǎn)，并且可由內(nèi)部嵌入算法完成對芯片的操作，因而在各種嵌入式系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。作為一種非易失性存儲器，F(xiàn)lash在系統(tǒng)中通常用于存放程序代碼、常量表以及一些在系統(tǒng)掉電后需要保存的用戶數(shù)據(jù)等。常用的Flash為8位或16位數(shù)據(jù)寬度，編程電壓為單3.3V。主要有ATMEL、AMD、HYUNDAI等生產(chǎn)廠商，他們生產(chǎn)的同型器件一般具有相同的電氣特性和封裝形式，可通用。

　　1.2以HY57V641620為例的SDRAM接口電路的基本特性

　　本文以Flash存儲器HY29LV160為例，簡要描述一下Flash存儲器的基本特性：

　　HY29LV160的單片存儲容量為16M位（2M字節(jié)），工作電壓為2.7V～3.6V，采用48腳TSOP封裝或48腳FBGA封裝，16位數(shù)據(jù)寬度，可以以8位（字節(jié)模式）或16位（字模式）數(shù)據(jù)寬度的方式工作。

　　HY29LV160僅需單3V電壓即可完成在系統(tǒng)的編程與擦除操作，通過對其內(nèi)部的命令寄存器寫入標(biāo)準(zhǔn)的命令序列，可對Flash進(jìn)行編程（燒寫）、整片擦除、按扇區(qū)擦除以及其它操作。

　　HY29LV160的邏輯框圖、引腳分布及信號描述分別如圖1和表1所示：

　　圖1 HY29LV160引腳分布（TSOP48封裝）

　　表1 HY29LV160的引腳信號描述

　　1.3 以HY29LV160為例的Flash接口電路的使用方法

　　下面，我們使用HY29LV160來構(gòu)建存儲系統(tǒng)。由于ARM微處理器的體系結(jié)構(gòu)支持8位/16位/32位的存儲器系統(tǒng)，對應(yīng)的可以構(gòu)建8位、16位、32位的Flash存儲器系統(tǒng)。32位的存儲器系統(tǒng)具有較高的性能，而16位的存儲器系統(tǒng)則在成本及功耗方面占有優(yōu)勢，而8位的存儲器系統(tǒng)現(xiàn)在已經(jīng)很少使用。下面主要介紹16位和32位的Flash存儲器系統(tǒng)的構(gòu)建。

　　1.3.1.16位的FLASH存儲器系統(tǒng)

　　在大多數(shù)的系統(tǒng)中，選用一片16位的Flash存儲器芯片（常見單片容量有1 MB 、2MB 、4MB 、8MB 等）構(gòu)建16位Flash的存儲系統(tǒng)已經(jīng)足夠，在此采用一片HY29LV160構(gòu)建16位的Flash存儲器系統(tǒng)，其存儲容量為2MB。Flash存儲器在系統(tǒng)中通常用于存放程序代碼，系統(tǒng)上電或復(fù)位后從此處獲取指令并開始執(zhí)行，因此，應(yīng)將存有程序代碼的Flash存儲器配置到ROM/SRAM/FLASH Bank0，即將S3C4510B的nRCS0>（Pin75）接至HY29LV160的CE＃端。