新一代非易失性存儲(chǔ)器——NVSRAM的原理和應(yīng)用
摘要: 本文介紹了針對(duì)高端存儲(chǔ)應(yīng)用的最新非易失性存儲(chǔ)器NVSRAM。可以根據(jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)。
關(guān)鍵詞: Flash;EEPROM;SRAM;NVSRAM
概述
眾所周知,在非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域,市場(chǎng)熱度節(jié)節(jié)攀升。近日,SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫,即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲(chǔ)器,并介紹NVSRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì), NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。
非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用
目前非易失性方式主要有如下幾種:
*Flash 或EEPROM + SRAM/SDRAM;
*FRAM;
*基于SRAM: BBSRAM, Micropower SRAM +后備電池,NVSRAM。
下面我們分別談?wù)勥@幾種方式的優(yōu)缺點(diǎn)。
先談?wù)凢lash 以及EEPROM (+ SRAM/SDRAM)的方式,這是最原始也是目前比較普遍的方式,主要是由于其價(jià)格便宜,但其缺點(diǎn)也是顯而易見的,就是速度和寫入次數(shù)的限制。 還有一點(diǎn)比較容易忽視的地方,就是在這種應(yīng)用中,由于Flash或EEPROM寫入速度慢和寫入次數(shù)限制的問題,數(shù)據(jù)不是實(shí)時(shí)寫入其中,一般存儲(chǔ)在SRAM/SDRAM中,當(dāng)?shù)揭欢ǖ臅r(shí)間或檢測(cè)到掉電后,再把數(shù)據(jù)寫入EEPROM和Flash中,這樣就有很大的潛在危險(xiǎn)。就是當(dāng)?shù)綦姇r(shí)數(shù)據(jù)還沒來得及存到Flash或EEPROM中,就很可能丟失重要的數(shù)據(jù)。
FRAM,鐵電存儲(chǔ)器,是一種新型的非易失性存貯方式,有一定的優(yōu)點(diǎn),例如,存儲(chǔ)速度相對(duì)于Flash 或EEPROM快一些,在擦寫次數(shù)上也有了很大的改進(jìn),但其不是標(biāo)準(zhǔn)SRAM接口,對(duì)于工程師來講,假如不兼容其它產(chǎn)品 將為他的設(shè)計(jì)帶來很多麻煩 ,并且FRAM目前是獨(dú)家供貨 ,又是擺在采購面前的一項(xiàng)難題。
對(duì)于基于SRAM的方式來講,共同的特點(diǎn)就是,標(biāo)準(zhǔn)的SRAM接口,可以很方便的設(shè)計(jì)。但它們又各有特點(diǎn),BBSRAM 實(shí)際上是把SRAM和后備電池包在了一起,我們可以把BBSRAM和 Micropower SRAM +后備電池這兩種方式放在一起討論。這兩種方式是比較傳統(tǒng)的應(yīng)用方式,應(yīng)用也比較廣泛,缺點(diǎn)也是比較明顯,我們把它們和NVSRAM 做一個(gè)比較(見表1)。
NVSRAM工作原理
NVSRAM采用SRAM+EEPROM方式,實(shí)現(xiàn)了無須后備電池的非易失性存儲(chǔ),芯片接口、時(shí)序等與標(biāo)準(zhǔn)SRAM完全兼容,圖1為1M NVSRAM 內(nèi)部框圖。
圖1 NVSRAM的內(nèi)部框圖
NVSRAM的外部接口與SRAM相同,讀寫控制都是由 片選(CE),讀使能(OE),寫使能(WE)來控制 ,時(shí)序標(biāo)準(zhǔn)也與SRAM完全相同。見圖2。
圖2 NVSRAM與SRAM接口兼容
NVSRAM表現(xiàn)在外部器件與SRAM不同的就是NVSRAM需要外接一個(gè)電容,當(dāng)外部電源突然斷掉時(shí)可以通過電容放電提供電源把SRAM里面的數(shù)據(jù)拷貝到EEPROM里面。見圖3。
圖3 NVSRAM外接電容示意圖
NVSRAM通常的操作都在SRAM中進(jìn)行,只有當(dāng)外界突然斷電或者認(rèn)為需要存儲(chǔ)的時(shí)候才會(huì)把數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到EEPROM中去,當(dāng)檢測(cè)到系統(tǒng)上電后會(huì)把EEPROM中的數(shù)據(jù)拷貝到SRAM中,系統(tǒng)正常運(yùn)行。
NVSRAM工作方式
NVSRAM有三種存儲(chǔ)方式:自動(dòng)存儲(chǔ),硬件存儲(chǔ)和軟件存儲(chǔ);有兩種RECALL操作方式:自動(dòng)RECALL和軟件RECALL。
存儲(chǔ)是指數(shù)據(jù)從SRAM到EEPROM的過程,其過程包括兩個(gè)步驟:
1. 擦除之前EEPROM的內(nèi)容;
2. 把目前SRAM的數(shù)據(jù)存到EEPROM中。
RECALL是指EEPROM到SRAM的過程。它也包括兩個(gè)步驟:
1. 清除之前SRAM的內(nèi)容;
2. 把EEPROM的數(shù)據(jù)拷貝到SRAM中。
以下就詳細(xì)闡述這幾種工作方式:
自動(dòng)存儲(chǔ)(AutoStore):當(dāng)檢測(cè)到外界電壓低于最小值時(shí),會(huì)自動(dòng)保存SRAM的數(shù)據(jù)到EEPROM中,其間所需要的電壓由外界的電源提供。
硬件存儲(chǔ)(Hardware STORE):NVSRAM有一個(gè)/HSB 引腳,當(dāng)拉到低電平時(shí)進(jìn)行存儲(chǔ)操作,會(huì)保存SRAM的數(shù)據(jù)到EEPROM中。
軟件存儲(chǔ)(Software STORE):軟件存儲(chǔ)是由 一個(gè)預(yù)定義的六個(gè)連續(xù)的SRAM讀操作控制數(shù)據(jù)從SRAM保存至EEPROM中。
自動(dòng)RECALL:當(dāng)檢測(cè)到外界重新上電時(shí),會(huì)自動(dòng)從EEPROM中拷貝到SRAM中。
軟件RECALL:軟件RECALL是由 一個(gè)預(yù)定義的六個(gè)連續(xù)的SRAM讀操作控制數(shù)據(jù)從EEPROM保存至SRAM中。
NVSRAM應(yīng)用
NVSRAM主要用于掉電時(shí)保存不能丟失的重要的數(shù)據(jù),應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,下面主要介紹這種非易失性存儲(chǔ)器的各類應(yīng)用。
網(wǎng)絡(luò)通訊類
路由器,高端交換機(jī),防火墻
NVSRAM用于掉電時(shí)存儲(chǔ)MAC地址列表,路由表,以及存儲(chǔ)初始化信息,硬件版本信息等 ,當(dāng)重新上電后路由器或交換機(jī)不需要重新學(xué)習(xí)MAC地址和路由表。
打印設(shè)備類
打印機(jī),傳真機(jī),掃描儀
打印機(jī):尤其是銀行打印機(jī),當(dāng)突然停電時(shí),NVSRAM可以對(duì)已經(jīng)完成的交易,但還沒來的及打印到存折或清單上的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存,等系統(tǒng)重新上電時(shí)打印機(jī)不會(huì)把此交易信息丟失,可以直接打印。
傳真機(jī):NVSRAM用于存儲(chǔ)已經(jīng)接收到但還沒來得及打印的數(shù)據(jù),假如傳真機(jī)已經(jīng)接收到了文件還沒來得及打印就突然停電,此時(shí)的保存就尤為重要,NVSRAM會(huì)把這些內(nèi)容保存,當(dāng)重新上電時(shí)又會(huì)把這部份文件打印出來,使用戶不會(huì)因?yàn)閬G失重要文件而失去商機(jī)。
掃描儀:用于存儲(chǔ)已經(jīng)掃描了但還沒來得及打印的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),這個(gè)作用尤其用于掃描大文件時(shí),如果掃描后還沒來得及打印,突然斷電,NVSRAM會(huì)把這部分?jǐn)?shù)據(jù)保存下來,重新上電開機(jī)后不需要再浪費(fèi)時(shí)間重新掃描。
當(dāng)重新上電時(shí),掉電前的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失,可以避免因掉電給客戶造成的損失。
工業(yè)控制類
工控板,鐵路信號(hào)控制系統(tǒng),高壓電繼電器等
這類產(chǎn)品中,操作過程和數(shù)據(jù)計(jì)算結(jié)果等信息尤為重要,當(dāng)?shù)綦姇r(shí),NVSRAM會(huì)存儲(chǔ)中間操作和計(jì)算結(jié)果,重新上電時(shí)這些結(jié)果會(huì)重新拷貝到SRAM中,不會(huì)丟失任何中間計(jì)算結(jié)果。
汽車電子類
行駛記錄儀
用于汽車實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),即 存放汽車發(fā)生事故前后的數(shù)據(jù),主要是用于分析事故發(fā)生的原因和事故的責(zé)任 。發(fā)生事故時(shí),汽車系統(tǒng)很可能會(huì)沒有電源,需要把速度,剎車,轉(zhuǎn)向燈,車門,發(fā)動(dòng)機(jī)的溫度等一些重要的信息記錄下來,就需要使用到NVSRAM。
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評(píng)論