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飛兆全新中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應(yīng)用

作者: 時(shí)間:2014-02-13 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  2014年2月13日,許多終端應(yīng)用 – 比如IP電話、電機(jī)控制電路、有源鉗位開關(guān)和負(fù)載開關(guān) – 需要以更小的尺寸提供更高的能效,以便滿足制造商的要求。半導(dǎo)體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench® ,在尺寸減小的同時(shí)可實(shí)現(xiàn)卓越的開關(guān)速度和功耗性能。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/221501.htm

  該系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P溝道。與競爭對手的器件相比,這類P溝道具有更好的開關(guān)性能品質(zhì)因數(shù)(FOM),比競爭對手提供的最佳器件還要高出67%。此外,其導(dǎo)通損耗減小了46%,開關(guān)損耗減小了38%。因此,設(shè)計(jì)人員能夠縮小尺寸并提高系統(tǒng)整體性能。

  相比競爭對手提供的5 mm x 6 mm封裝解決方案,該系列器件采用3 mm x 3 mm MLP封裝,可節(jié)省電路板空間。此外,F(xiàn)DMC86xxxP系列可滿足客戶對于耗散更少功率實(shí)現(xiàn)更高能效的更低 熱特性需求。該器件還具有同尺寸器件中最低的導(dǎo)通電阻RDS(ON)。

  半導(dǎo)體低壓產(chǎn)品營銷總監(jiān)Mike Speed表示:“眾所周知,傳統(tǒng)產(chǎn)品因功耗高而效率低下,不適用于如今的電源和電機(jī)控制電路??蛻羧绻D(zhuǎn)而采用FDMC86xxxP系列器件,那么在其應(yīng)用中就能使功耗降低多達(dá)50%,從而提升系統(tǒng)整體性能,并降低其終端產(chǎn)品中的能耗,有助于節(jié)省全球資源。”

  主要功能:

  · 極低RDS(ON)中壓P溝道硅技術(shù),優(yōu)化得到較低的Qg
  · 非常適合快速開關(guān)應(yīng)用以及負(fù)載開關(guān)應(yīng)用
  · 100%經(jīng)過UIL®測試
  · 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

  空間受限型應(yīng)用以及我們的客戶和其所服務(wù)的市場要求DC-DC電源的尺寸更小、電流更高,基于對這一需求的理解,半導(dǎo)體量身定制結(jié)合了功能、工藝和創(chuàng)新封裝技術(shù)的節(jié)能型解決方案,從而能使您的電子設(shè)計(jì)與眾不同。



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