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安森美半導體為高速、硅鍺數(shù)據(jù)和時鐘管理系列推出更小型耐用的QFN封裝

作者:電子設計應用 時間:2004-01-18 來源:電子設計應用 收藏
半導體(美國納斯達克上市代號:ONNN)宣布,其硅鍺(SiGe)Gigacomm™系列的所有集成電路現(xiàn)在均可提供16引腳無引線四方扁平(QFN),進一步拓展了該公司在高速數(shù)據(jù)與時鐘管理元件市場的地位。這種與其他工業(yè)等級溫度范圍內的相比,節(jié)省電路板空間,同時大幅提高了熱性能。
采用QFN封裝的Gigacomm™器件目前額定溫度范圍為-40° C to +85° C,尺寸為3 mm x 3 mm,比倒裝球柵陣列(FCBGA)封裝減少44%。
QFN封裝
采用QFN封裝的Gigacomm™器件,其性能相等於采用FCBGA封裝,但大幅減少了電路板空間占用并有效提高了熱性能。QFN的結溫僅為每瓦(W)功耗55° C。半導體的數(shù)據(jù)與時鐘管理Gigacomm™集成電路系列,結合創(chuàng)新的設計、SiGe工藝和QFN封裝,頻率高達12千兆赫(GHz)以上。
GigaComm™ 技術
Gigacomm™與砷化稼為本的同類競爭技術相比,具有無可匹敵的性能和極低價格。半導體首次推出硅鍺(SiGe)技術為本的產品是性能高于10 GHz的高速時鐘與數(shù)據(jù)管理集成電路系列,其價格接近互補金屬氧化半導體(CMOS)方案。Gigacomm™器件出眾的性能可理想地應用于迅速發(fā)展的企業(yè)網絡、寬帶通信、自動測試設備和醫(yī)學影像等市場。
Gigacomm™器件系列在某些速度高于12 GHz的情況下功能廣泛。這些器件的上升和下降時間典型值為40皮秒,抖動僅在毫微微秒(10-15秒)范圍內。所有Gigacomm™器件均提供安森美半導體的AnyLevel™輸入技術,可接受負極性射極耦合邏輯(NECL)、正極性射極耦合邏輯(PECL),電流模式邏輯(CML)、低電壓CMOS、低電壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)或低壓差動信號(LVDS)。
器件
- NBSG11為2.5 V或3.3 V硅鍺差動時鐘驅動器,可將輸入時鐘信號再生成兩個相同輸出信號的形式,采用16引腳QFN封裝。輸出信號為降低擺幅射極耦合邏輯(RSECL),以降低功耗。
- NBSG14為帶1:4扇出與RSECL輸出的2.5 V或3.3 V硅鍺差動時鐘驅動器,16引腳QFN封裝。
- NBSG16為帶RSECL輸出的2.5 V或3.3 V硅鍺差動接收器/驅動器,16引腳QFN封裝。
- NBSG16VS提供不同擺幅輸出。視乎控制引腳的輸入信號, 輸出信號振幅可從100Mv放大到750mV,具有很大的設計靈活性。16引腳QFN封裝。
- NBSG53A為2.5 V或3.3 V硅鍺器件,可用作可選式差動時鐘與數(shù)據(jù)D觸發(fā)器與帶除以1或2功能的時鐘除法器。復位功能允許改變器件狀態(tài),而輸出等級選擇(OLS)技術可以五個步進階段在100mV和800mV之間改變輸出。16引腳QFN封裝。
- NBSG86A為帶輸出等級選擇的2.5 V或3.3 V硅鍺差動智能門。它為與/與非、或/或非、異或/同或或2:1復用功能之間的選擇提供可編程靈活性。NBSG86A可為高性能應用提供速度極快的主要邏輯功能。16引腳QFN封裝。
所有Gigacomm器件均提供評估與演示板,也可提供具有更大設計靈活性的芯片形式。
欲了解更多信息,請訪問http://www.onsemi.com/tech.


關鍵詞: 安森美 封裝

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