安森美半導(dǎo)體為TVS元件和肖特基二極管系列推出低厚度SOD-123FL封裝
安森美半導(dǎo)體副總裁兼標(biāo)準(zhǔn)元件部總經(jīng)理Charlotte Diener說:“由于SOD-123FL優(yōu)化電路板空間占用每單位內(nèi)的功率耗散,該封裝是便攜與無線電路板設(shè)計所需之TVS元件與肖特基二極管的理想選擇,此類設(shè)計必須符合電源管理和保護的嚴格要求?!?BR>
SOD-123FL封裝器件可直接替代電路板中的SOD-123(JEDEC DO219)封裝器件,同時具有更出眾的功率處理能力。比較而言,SOD-123FL封裝的瓦特/ mm2 熱性能比SOD-123提高達149%,比SMA提高達90.5%,比PowerMite提高達26.5%。SOD123FL厚度(最大為1mm)比標(biāo)準(zhǔn)SOD123封裝低25%或以上,非常適宜講究電路板空間的便攜應(yīng)用。
SOD-123FL封裝獨有的引腳結(jié)構(gòu)以及具有最佳功效的線夾設(shè)計,允許低正向電壓。附帶線夾的內(nèi)部設(shè)計比引線粘結(jié)封裝具有更優(yōu)秀的浪涌電流能力,成為瞬態(tài)電壓抑制應(yīng)用的理想封裝選擇。安森美半導(dǎo)體已在新型封裝內(nèi)采用低泄漏電流硅技術(shù),以更好地節(jié)省能量。
SOD123FL以環(huán)保、無鉛的封裝平臺提供更佳性能。該封裝采用100%錫(Sn)涂覆所有外表電鍍面。其在260° C下回焊,達到1級潮濕敏感度等級(MSL),同時與現(xiàn)有回焊工藝逆向相容。
SOD123FL器件
安森美半導(dǎo)體已推出50款具實效的SOD123FL封裝標(biāo)準(zhǔn)元件。目前可提供以下器件:
- SMF 5.0:5V至170V的200瓦TVS器件系列。
- MBR120VLSFT1:1安培、20伏肖特基功率整流二極管,具極低正向電壓,可延長便攜應(yīng)用的電池壽命。
- MBR120LSFT1:1安培、20伏肖特基功率整流二極管,具低正向電壓,可延長可延長便攜應(yīng)用的電池壽命。
- MBR120ESFT1:1安培、20伏肖特基功率整流管,具低漏電。
- MBR140SFT1:1安培、40伏肖特基功率整流管,具優(yōu)化的低正向電壓和低泄漏。
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