化學機械拋光 Slurry 的蛻與進
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Slurry的發(fā)展與蛻變
“CMP技術(shù)非常復雜，牽涉眾多的設(shè)備、耗材、工藝等，可以說CMP本身代表了半導體產(chǎn)業(yè)的眾多挑戰(zhàn)?！卑布㈦娮拥腃EO王淑敏博士說，“主要的挑戰(zhàn)是影響CMP工藝和制程的諸多變量，而且這些變量之間的關(guān)系錯綜復雜。其次是CMP的應(yīng)用范圍廣，幾乎每一關(guān)鍵層都要求用到CMP進行平坦化。不同應(yīng)用中的研磨過程各有差異，往往一個微小的機臺參數(shù)或耗材的變化就會帶來完全不同的結(jié)果，slurry的選擇也因此成為CMP工藝的關(guān)鍵之一?！?P> CMP技術(shù)所采用的設(shè)備及消耗品包括：拋光機、slurry、拋光墊、后CMP清洗設(shè)備、拋光終點檢測及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測設(shè)備等。其中slurry和拋光墊為消耗品。Praxair的研發(fā)總監(jiān)黃丕成博士介紹說，一個完整的CMP工藝主要由拋光、后清洗和計量測量等部分組成。拋光機、slurry和拋光墊是CMP工藝的3大關(guān)鍵要素，其性能和相互匹配決定CMP能達到的表面平整水平（圖2）。
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