我國(guó)IC制造與先進(jìn)水平鴻溝加寬

　　近日，有消息稱受英特爾與三星等競(jìng)爭(zhēng)壓力所致，國(guó)際IC代工制造龍頭臺(tái)積電將加快先進(jìn)工藝開發(fā)量產(chǎn)步伐，除加速南科廠16納米產(chǎn)能布建之外，還將加快10納米生產(chǎn)線的建設(shè)，計(jì)劃于明年下半年完成10納米的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，2016年下半年量產(chǎn)。隨著集成電路工藝逐漸接近物理極限，技術(shù)難度加大，摩爾定律一度逐漸減慢，這也在一定程度上給了我國(guó)IC產(chǎn)業(yè)追趕國(guó)際先進(jìn)水平的機(jī)會(huì)。然而，受到競(jìng)爭(zhēng)加劇影響，業(yè)內(nèi)龍頭大廠在先進(jìn)制程推進(jìn)上似乎又有重新加速的跡象。這是否將導(dǎo)致我國(guó)大陸IC代工制造水平與國(guó)際先進(jìn)水平之間的差距進(jìn)一步拉大呢?

　　根據(jù)臺(tái)積電在近日舉辦的法說(shuō)會(huì)上發(fā)布的技術(shù)路線圖，臺(tái)積電16納米工藝預(yù)計(jì)在明年第一季度拉升至每月5萬(wàn)片，由此量產(chǎn)時(shí)程可望提前至明年第二季度，比預(yù)定時(shí)間提前一個(gè)季度;10納米工藝從2013年開始進(jìn)行技術(shù)開發(fā)，計(jì)劃明年第一季度于中科廠建置10納米試產(chǎn)線，量產(chǎn)時(shí)程則落在2016年下半年。不過受制于EUV技術(shù)的輸出率仍未達(dá)到量產(chǎn)需求，屆時(shí)10納米工藝仍將采用多重曝光的方式，并集中于12英寸晶圓廠生產(chǎn)。

　　集成電路芯片制造業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的核心主體，大力發(fā)展集成電路芯片制造業(yè)一直是我國(guó)推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)的重要方向之一。一直以來(lái)，在先進(jìn)工藝方面，我國(guó)大陸制造技術(shù)與先進(jìn)水平的差距大體相差2代。目前，中芯國(guó)際最先進(jìn)的制造技術(shù)為40納米，與國(guó)際先進(jìn)水平相差1.5代，實(shí)際已經(jīng)追近了一步，至少是沒有被落下。而中芯國(guó)際的28納米工藝有望于今年年底進(jìn)行試量產(chǎn)，明年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這樣，與臺(tái)積電仍將保持1.5代到2代的差距(將視臺(tái)積電16納米工藝量產(chǎn)是否順利而定)。同時(shí)，中芯國(guó)際也在開發(fā)14納米、10納米的工藝技術(shù)，根據(jù)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2016年到2017年可實(shí)現(xiàn)14納米的工藝開發(fā)，順利的話可能進(jìn)行試產(chǎn)。這樣算來(lái)，并沒有與先進(jìn)水平拉大差距。

　　其實(shí)，IC制造的競(jìng)爭(zhēng)不僅表現(xiàn)在先進(jìn)工藝的開發(fā)與量產(chǎn)上，僅僅是因?yàn)樗俗⒛?。?shí)際上，我國(guó)IC制造的弱勢(shì)更多存在于設(shè)計(jì)服務(wù)能力和支持體系的不完善之上。隨著技術(shù)的發(fā)展，當(dāng)前IC設(shè)計(jì)、制造、ENA工具，甚至是封裝的工藝流程，有越來(lái)越多相互融合的趨勢(shì)，衡量IC制造業(yè)實(shí)力強(qiáng)弱的重點(diǎn)越來(lái)越多地體現(xiàn)在企業(yè)是否能夠建立起完整的設(shè)計(jì)服務(wù)和支持體系，是否能夠充分進(jìn)行IP核的研發(fā)以滿足工藝開發(fā)需求，甚至更高地建立在對(duì)設(shè)計(jì)方法學(xué)的理解程度之上。而國(guó)內(nèi)很多IC制造廠在這些方面都存在明顯不足。這些軟硬實(shí)力的補(bǔ)足，才是我國(guó)IC制造企業(yè)下一步亟須強(qiáng)化的重點(diǎn)。