影響EMC的因素和降噪技術(shù)

電壓——電源電壓越高，意味著電壓振幅越大而發(fā)射就更多，而低電源電壓影響敏感度。

頻率——高頻產(chǎn)生更多的發(fā)射，周期性信號(hào)產(chǎn)生更多的發(fā)射。在高頻數(shù)字系統(tǒng)中，當(dāng)器件開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生電流尖峰信號(hào)；在模擬系統(tǒng)中，當(dāng)負(fù)載電流變化時(shí)產(chǎn)生電流尖峰信號(hào)。

接地——對(duì)于電路設(shè)計(jì)沒(méi)有比可靠和完美的電源系統(tǒng)更重要的事情。在所有EMC問(wèn)題中，主要問(wèn)題是不適當(dāng)?shù)慕拥匾鸬?。有三種信號(hào)接地方法：?jiǎn)吸c(diǎn)、多點(diǎn)和混合。在頻率低于1MHz時(shí)可采用單點(diǎn)接地方法，但不適于高頻。在高頻應(yīng)用中，最好采用多點(diǎn)接地?；旌辖拥厥堑皖l用單點(diǎn)接地而高頻用多點(diǎn)接地的方法。地線布局是關(guān)鍵的。高頻數(shù)字電路和低電平模擬電路的地回路絕對(duì)不能混合。

PCB設(shè)計(jì)——適當(dāng)?shù)挠∷㈦娐钒澹≒CB）布線對(duì)防止EMI是至關(guān)重要的。

電源去耦——當(dāng)器件開(kāi)關(guān)時(shí)，在電源線上會(huì)產(chǎn)生瞬態(tài)電流，必須衰減和濾掉這些瞬態(tài)電流來(lái)自高di/dt源的瞬態(tài)電流導(dǎo)致地和線跡“發(fā)射”電壓。高di/dt產(chǎn)生大范圍高頻電流，激勵(lì)部件和纜線輻射。流經(jīng)導(dǎo)線的電流變化和電感會(huì)導(dǎo)致壓降，減小電感或電流隨時(shí)間的變化可使該壓降最小。

降低噪聲的技術(shù)

防止干擾有三種方法：

1． 抑制源發(fā)射。

2． 使耦合通路盡可能地?zé)o效。

3． 使接收器對(duì)發(fā)射的敏感度盡量小。

下面介紹板級(jí)降噪技術(shù)。板級(jí)降噪技術(shù)包括板結(jié)構(gòu)、線路安排和濾波。

板結(jié)構(gòu)降噪技術(shù)包括：

* 采用地和電源平板

* 平板面積要大，以便為電源去耦提供低阻抗

* 使表面導(dǎo)體最少

* 采用窄線條（4到8密耳）以增加高頻阻尼和降低電容耦合

* 分開(kāi)數(shù)字、模擬、接收器、發(fā)送器地/電源線

* 根據(jù)頻率和類(lèi)型分隔PCB上的電路

* 不要切痕PCB，切痕附近的線跡可能導(dǎo)致不希望的環(huán)路

* 采用多層板密封電源和地板層之間的線跡

* 避免大的開(kāi)環(huán)板層結(jié)構(gòu)

* PCB聯(lián)接器接機(jī)殼地，這為防止電路邊界處的輻射提供屏蔽

* 采用多點(diǎn)接地使高頻地阻抗低

* 保持地引腳短于波長(zhǎng)的1/20,以防止輻射和保證低阻抗線路安排降噪技術(shù)包括用45。而不是90。線跡轉(zhuǎn)向，90。轉(zhuǎn)向會(huì)增加電容并導(dǎo)致傳輸線特性阻抗變化

* 保持相鄰激勵(lì)線跡之間的間距大于線跡的寬度以使串?dāng)_最小* 時(shí)鐘信號(hào)環(huán)路面積應(yīng)盡量小

* 高速線路和時(shí)鐘信號(hào)線要短和直接連接

* 敏感的線跡不要與傳輸高電流快速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換信號(hào)的線跡并行

* 不要有浮空數(shù)字輸入，以防止不必要的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換和噪聲產(chǎn)生

* 避免在晶振和其它固有噪聲電路下面有供電線跡

* 相應(yīng)的電源、地、信號(hào)和回路線跡要平行以消除噪聲

* 保持時(shí)鐘線、總線和片使能與輸入/輸出線和連接器分隔

* 路線時(shí)鐘信號(hào)正交I/O信號(hào)

* 為使串?dāng)_最小，線跡用直角交叉和散置地線