改善VRM輸出瞬態(tài)響應(yīng)的辦法

　　除了由于輸出濾波電容的ESR、ESL，使頻繁高速變化的電流引起VRM輸出電壓的變化外，電路中其他的寄生參數(shù)，如引線的寄生電阻、寄生電感也會(huì)對(duì)VRM的瞬態(tài)電壓調(diào)整變化有很大的影響，因此要盡量減小引線的寄生參數(shù)。

　　改善VRM輸出瞬態(tài)響應(yīng)的方法有以下幾種：

　　（1）在輸出端并聯(lián)解耦電容。但解耦電容也具有ESR和ESL等寄生參數(shù)，也會(huì)引起解耦電容端的瞬時(shí)電壓降落。單純地靠增大解耦電容來改善VRM的瞬態(tài)特性并不一定十分有利，這是因?yàn)榧词故菐准{亨的寄生電感也需要100 μF的解耦電容，以保持VRM的瞬態(tài)電壓在規(guī)定的范圍內(nèi)變化。解耦電容越大，所占的空間也越大，與微處理器的尺寸不相稱，有時(shí)因?yàn)槭芸臻g的限制，甚至不可能實(shí)現(xiàn)。而且增大解耦電容只對(duì)改善輸出瞬態(tài)響應(yīng)的初期有利，對(duì)于瞬態(tài)響應(yīng)后期作用不大。對(duì)瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間的改善也不顯著。

　　（2）用多通道轉(zhuǎn)換器，交錯(cuò)控制輸出電流的波，以保證輸出電壓的紋波，改善輸出瞬態(tài)響應(yīng)。

　　表1所示為單純?cè)龃蠼怦铍娙莺屠媒诲e(cuò)控制多通道轉(zhuǎn)換器改善輸出瞬態(tài)響應(yīng)的結(jié)果比較。

　　表1 改善輸出瞬態(tài)響應(yīng)兩面三刀種方法的比較

　　（3）用電壓調(diào)整技術(shù)改善瞬態(tài)輸出響應(yīng)，減少輸出電容。Intel公司曾與其他公司合作，聯(lián)合開發(fā)了一種適用于服務(wù)器、工作站及臺(tái)式計(jì)算機(jī)的兩相VRM。輸出1.1～1.85 V、60A，外接電容1200 μf×6，電感1 μH，母線電壓12 V。采用￣ADP3l60控制芯片，按有源電壓調(diào)整的原理來改善瞬態(tài)響應(yīng)；VRM采用兩片ADP3412穩(wěn)壓電源模塊控制器芯片及兩個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET，體積小，成本低。

　　（4）縮短VRM與微處理器之間的連接線，減少寄生參數(shù)。將VRM與微處理器放在母板（motherboard）上，使VRM與微處理器盡量靠得很近，甚至將電感做成平面磁元件，VRM可以與微處理器系統(tǒng)集成為一個(gè)整體（System IntegratiON），取消連接線，使輸出濾波器的L、C也大大減小。