vrm 文章進入vrm技術(shù)社區(qū)

從射頻信號完整性到電源完整性』每個VRM都是一種特殊的功率放大器（PA）

Qorvo首席系統(tǒng)工程師/高級管理培訓(xùn)師 Masashi Nogawa 將通過《從射頻信號完整性到電源完整性》這一系列文章，與您探討射頻（RF）電源的相關(guān)話題，以及電源軌可能對噪聲敏感的RF和信號鏈應(yīng)用構(gòu)成的挑戰(zhàn)。本文將討論 VRM作為特殊功率放大器的工作原理及其與RF/信號鏈領(lǐng)域中的共通點。在射頻（RF）和信號鏈領(lǐng)域的許多工程師將電壓調(diào)節(jié)模塊（VRM）系統(tǒng)視為“電源” ；而與他們的信號鏈電子元件截然不同。那么，就讓我
關(guān)鍵字： Qorvo 射頻信號 VRM

適用于復(fù)雜負載點應(yīng)用的數(shù)字增強型電源模擬直流/直流控制器

　　在許多系統(tǒng)中，使用單片機來控制多個負載點(POL)直流/直流轉(zhuǎn)換器，從而構(gòu)成混合控制系統(tǒng)以管理系統(tǒng)啟動行為、監(jiān)視電氣參數(shù)并管理外設(shè)子系統(tǒng)的功耗。不過，最復(fù)雜的解決方案可在計算機主板、圖形卡或服務(wù)器的CPU刀片上找到，其中穩(wěn)壓器模塊(VRM)直接與其負載通信來調(diào)整電源電壓，并且/或者甚至調(diào)整其控制特性來適應(yīng)臨時的工作條件。這種“智能”電源轉(zhuǎn)換管理和控制在總體系統(tǒng)效率、性能和可靠性方面具有顯著優(yōu)勢——簡而言之：是工業(yè)、醫(yī)療、汽車以及消費類細分市場的首選解決方案
關(guān)鍵字：控制器 MCP19111 POL VRM

LED基礎(chǔ)：12個LED重要性能指標

要想深入了解LED，不僅需要了解LED的一些基本知識，還要了解LED的性能指標，因為LED性能指標是整個LED的核心部分。筆者將LED性能指標分為12個關(guān)鍵詞，下面讓筆者給網(wǎng)友進行詳細的分析。
關(guān)鍵字： LED 性能指標 VRm

改善VRM輸出瞬態(tài)響應(yīng)的辦法

除了由于輸出濾波電容的ESR、ESL，使頻繁高速變化的電流引起VRM輸出電壓的變化外，電路中其他的寄生參數(shù)，如...
關(guān)鍵字： VRM 輸出瞬態(tài)響應(yīng)

低電壓大電流VRM拓撲結(jié)構(gòu)和均流技術(shù)研究

0 引言為了進一步加強微處理器的功率、速度性能，未來微處理器對其特殊的供電單元電壓調(diào)節(jié)模塊(Voltage Regulator Module ,VRM)提出了前所未有的挑戰(zhàn)。供電電源電壓越來越低而電流越來越大，瞬態(tài)響應(yīng)速度越來越快，功
關(guān)鍵字：電壓電流模塊調(diào)整同步整流方波分享研究 VRM 拓撲

三種快速動態(tài)響應(yīng)的VRM拓撲分析比較

摘要：本文給出了三種具有快速動態(tài)響應(yīng)速度VRM拓撲：多相交錯Buck拓撲、采用步進電感的變換器拓撲、混合供電模式拓撲。分析了它們各自的設(shè)計目標，工作原理，以及各自的優(yōu)缺點。敘詞：電壓調(diào)節(jié)模塊；多相交錯；步進
關(guān)鍵字：分析比較拓撲 VRM 動態(tài) 響應(yīng) 快速

使用功率MOSFET封裝技術(shù)解決計算應(yīng)用的高功耗問題

　　對于主板設(shè)計師來說，要設(shè)計處理器電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)來滿足計算機處理器永無止境的功率需求實在是個大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標從8.4版本升級到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。　　在過去的10年間，VRM電流要求一直在增加，正如英特爾所公布的，IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅(qū)動高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時，電流切換速率要求也有相當大的提高；芯片插座處的dI／dT從45
關(guān)鍵字： MOSFET VRM 英特爾低功耗芯片 PWB

開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個關(guān)注點

　　上世紀60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個發(fā)展階段。　　功率半導(dǎo)體器件從雙極型器件(BPT、SCR、GTO)發(fā)展為MOS型器件(功率MOSFET、IGBT、IGCT等)，使電力電子系統(tǒng)有可能實現(xiàn)高頻化，并大幅度降低導(dǎo)通損耗，電路也更為簡單。　　自上世紀80年代開始，高頻化和軟開關(guān)技術(shù)的開發(fā)研究，使功率變換器性能更好、重量更輕、尺寸更小。高頻化和軟開關(guān)
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 系統(tǒng)集成電磁 VRM 電源

高效率的VRM滿足AMDK8處理器供電要求

• 85%的效率使系統(tǒng)設(shè)計更加容易 • 滿足工作站或服務(wù)器應(yīng)用的1U/2U或水平式封裝 • 符合AMD供電規(guī)范，滿足最新的64位AMD Opteron™ 和 Athlon™處理器系列供電要求 C&D Technologies推出一款新的電壓調(diào)整模塊（VRM）系列，
關(guān)鍵字： AMD K8 VRM 處理器供電

共9條 1/1 1

vrm介紹

VRM的英文全稱是Voltage Regulator Module，中文意思是電壓調(diào)節(jié)模塊，其主要作為了通過對主板上直流—>直流(簡稱DC—>DC)轉(zhuǎn)換電路的控制來為CPU提供穩(wěn)定的工作電壓，同時也對電腦啟動時電壓的變化情況和時序作出了明確的要求。根據(jù)VRM標準制定的電源電路能夠滿足不同CPU的要求，減少人工干預(yù)的復(fù)雜性，簡化了穩(wěn)壓電路的電壓控制設(shè)計。這個VRM標準是Intel專門為自 [ 查看詳細 ]

vrm資料下載

適用于復(fù)雜負載點應(yīng)用的數(shù)字增強型電源模擬直流直流控制器
基于ADP3181的交錯并聯(lián)同步BUCK電路的設(shè)計
MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能
DirectFET封裝技術(shù)為服務(wù)器VRM提供解決方案

vrm 文章 進入vrm技術(shù)社區(qū)

vrm介紹

vrm資料下載

熱門主題

vrm 文章進入vrm技術(shù)社區(qū)