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適用于復雜負載點應用的數(shù)字增強型電源模擬直流/直流控制器
- 在許多系統(tǒng)中,使用單片機來控制多個負載點(POL)直流/直流轉換器,從而構成混合控制系統(tǒng)以管理系統(tǒng)啟動行為、監(jiān)視電氣參數(shù)并管理外設子系統(tǒng)的功耗。不過,最復雜的解決方案可在計算機主板、圖形卡或服務器的CPU刀片上找到,其中穩(wěn)壓器模塊(VRM)直接與其負載通信來調(diào)整電源電壓,并且/或者甚至調(diào)整其控制特性來適應臨時的工作條件。這種“智能”電源轉換管理和控制在總體系統(tǒng)效率、性能和可靠性方面具有顯著優(yōu)勢——簡而言之:是工業(yè)、醫(yī)療、汽車以及消費類細分市場的首選解決方案
- 關鍵字: 控制器 MCP19111 POL VRM
改善VRM輸出瞬態(tài)響應的辦法
- 除了由于輸出濾波電容的ESR、ESL,使頻繁高速變化的電流引起VRM輸出電壓的變化外,電路中其他的寄生參數(shù),如...
- 關鍵字: VRM 輸出瞬態(tài)響應
使用功率MOSFET封裝技術解決計算應用的高功耗問題
- 對于主板設計師來說,要設計處理器電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)來滿足計算機處理器永無止境的功率需求實在是個大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標從8.4版本升級到9.0版本,涵蓋了新的功率要求,以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。 在過去的10年間,VRM電流要求一直在增加,正如英特爾所公布的,IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅動高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時,電流切換速率要求也有相當大的提高;芯片插座處的dI/dT從45
- 關鍵字: MOSFET VRM 英特爾 低功耗 芯片 PWB
開關電源技術發(fā)展的十個關注點
- 上世紀60年代,開關電源的問世,使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來,開關電源技術有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統(tǒng)的集成技術三個發(fā)展階段。 功率半導體器件從雙極型器件(BPT、SCR、GTO)發(fā)展為MOS型器件(功率MOSFET、IGBT、IGCT等),使電力電子系統(tǒng)有可能實現(xiàn)高頻化,并大幅度降低導通損耗,電路也更為簡單。 自上世紀80年代開始,高頻化和軟開關技術的開發(fā)研究,使功率變換器性能更好、重量更輕、尺寸更小。高頻化和軟開關
- 關鍵字: 模擬技術 電源技術 系統(tǒng)集成 電磁 VRM 電源
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