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一種14位210MSPS校準(zhǔn)電流DAC設(shè)計

作者: 時間:2014-04-30 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  引言

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/234674.htm

  在許多信號處理和無線電通訊設(shè)備中,D/A轉(zhuǎn)換器是限制整個系統(tǒng)精度和速度的關(guān)鍵器件[1]。隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展和結(jié)構(gòu)的不斷創(chuàng)新,現(xiàn)在采用亞微米或深亞微米工藝可實(shí)現(xiàn)高速、高分辨率的。本文介紹了一種采用分段電流舵結(jié)構(gòu),在保證高速采樣的同時,使積分非線性誤差(INL)和微分非線性誤差(DNL)達(dá)到最小化,從而設(shè)計完成了一種基于0.35μm 工藝的14位 210MSPS DAC。該轉(zhuǎn)換器采用分段電流沉,在該結(jié)構(gòu)中,5位最高有效位控制31個電流源,4位中間位控制15個電流源,5位最低有效位直接控制二進(jìn)制權(quán)電流源。由于通信系統(tǒng)要求DAC具有高精度的滿量程輸出電流和良好的動態(tài)性能,而輸出電流精度主要受帶隙電壓基準(zhǔn)源控制,動態(tài)性能則主要受電流轉(zhuǎn)換驅(qū)動電路和電流源開關(guān)控制,因此本文在分析14位DAC系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的同時,也分析了內(nèi)置的帶隙電壓基準(zhǔn)源、分段電流源開關(guān)序列布局和電流開關(guān)驅(qū)動電路,其中帶隙電壓基準(zhǔn)源可以通過外圍管腳實(shí)現(xiàn)外部基準(zhǔn)電壓源截止和取代。最后給出了基于0.35μm 1P3M CMOS工藝的14位DAC的設(shè)計仿真和測試結(jié)果。

  1 DAC轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)

  為了達(dá)到高速14位精度DAC的要求,一般采用電流沉結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)楦鶕?jù)電子學(xué)原理,電流工作模式比電壓工作模式快,電源利用效率高。同時考慮到性能和面積的關(guān)系,整個轉(zhuǎn)換器采用了5+4+5的分段結(jié)構(gòu),可以有效減小浪涌引起的性能退化。

圖1給出了14位DAC的結(jié)構(gòu)框圖,由參考電源、偏置電路、電流源陣列、高速鎖存器、解碼電路和差分模擬開關(guān)等組成。該電路在工作時,輸入的14位數(shù)字信號存放在內(nèi)部寄存器,其中高5位和中間4位經(jīng)過解碼邏輯,把二進(jìn)制碼轉(zhuǎn)變?yōu)闇囟扔嫶a,為了保持延時的一致性,低5位則經(jīng)過偽解碼。解碼后的數(shù)據(jù)控制電流源陣列的電流源打開或關(guān)斷,從而控制電流的增加或減小。本設(shè)計內(nèi)有1.2V參考電壓源,以及相應(yīng)的偏置電路,可以根據(jù)需要選擇內(nèi)部參考或外部參考。

  2 線性度保證

  影響DAC線性度的主要有兩種誤差來源:隨機(jī)誤差和系統(tǒng)誤差。隨機(jī)誤差主要指由于工藝的變化帶來的電流源失配引起的誤差。我們通過Monte-Carlo仿真工藝變化引起的良率變化,可以確定單位電流源的允許變化范圍。根據(jù)文獻(xiàn)[2]可知,兩個單位電流源的標(biāo)準(zhǔn)偏差是偏置電壓和溝道尺寸的函數(shù)。

  是與工藝相關(guān)的工藝常數(shù),因而(1)式具有通用性。由式(1)可以看出,采用面積較大的單位電流源可以減小誤差。

  系統(tǒng)誤差主要指由于工藝梯度分布帶來的誤差。可以采用優(yōu)化版圖、特殊走線方法和優(yōu)化開關(guān)時序減小誤差,但不能完全消除。

  3 關(guān)鍵電路設(shè)計

  3.1 參考電源設(shè)計

  對于高分辨率轉(zhuǎn)換器,參考電源是整個電路的基準(zhǔn),應(yīng)該特別穩(wěn)定和精確,與電源、工藝變化關(guān)系甚微?,F(xiàn)代CMOS工藝中帶隙參考基本具備這些條件,因此我們選用帶隙參考源。如圖2所示。

  圖2中,Q1、Q2、Q3、Q4和Q5是寄生的襯底PNP三極管,可在標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝中實(shí)現(xiàn)。Q1和Q2,Q3和Q4都以射隨器的形式相連,這樣可以減小運(yùn)放失調(diào)引起的誤差。Q5面積是Q3的2倍,I5、I4、I10和I11是尺寸完全相同的晶體管,I22的寬長比是I4的2倍,它們的柵電壓由負(fù)反饋運(yùn)放的輸出提供,它們的作用是作為電流源,為各個支路提供偏置電流。電阻R1的作用是使A點(diǎn)和B點(diǎn)的電壓產(chǎn)生差值,從而使基準(zhǔn)源起作用。電阻R4和R5在PTAT電流之路上,通過它們的分壓,產(chǎn)生一個基準(zhǔn)電壓REFI,REFLO端則是用來控制Q5,使該支路起作用產(chǎn)生REFI的。下面,就通過計算詳細(xì)地介紹本設(shè)計基準(zhǔn)源的工作原理。

  

  本設(shè)計中,m=8,VEB的溫度系數(shù)是-1.5~2mV/℃,VT的溫度系數(shù)是0.085 mV/℃,所以,為了讓上式等于0,本設(shè)計取R5/R1為2.12~2.83。

  本設(shè)計中的帶隙基準(zhǔn)源經(jīng)過調(diào)整,在室溫下的輸出為1.207V。

  圖3示出了用spectre仿真器對基準(zhǔn)源在-55℃-125℃的范圍內(nèi)進(jìn)行溫度掃描的結(jié)果,如圖3。

  從圖3可以看出,帶隙電壓的溫度相關(guān)性曲線是一條拋物線的形狀,在室溫時,該曲線達(dá)到頂點(diǎn),這很符合設(shè)計要求。從圖3我們可以算出電壓基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)為15ppm/℃。

  3.2 高速電流開關(guān)及開關(guān)信號設(shè)計

  電流開關(guān)設(shè)計的關(guān)鍵參數(shù)是導(dǎo)通電阻和時鐘饋通。為了減小開關(guān)上的電壓降對電流源線性度的影響,開關(guān)的導(dǎo)通電阻必須很小。對時鐘饋通,我們采用了差分反向抵消技術(shù)和溝道電荷吸收技術(shù),可以有效地減小信號饋通引起的失真。另外,我們采用了擺幅限制電路來提高電路工作的速度。

  開關(guān)信號的設(shè)計對D/A轉(zhuǎn)換器的性能也有比較大的影響,對高速高性能應(yīng)用,必須保證開關(guān)信號的驅(qū)動電路足夠快和精確,而且要盡量減小抖動和浪涌的產(chǎn)生,必須認(rèn)真進(jìn)行設(shè)計。

  本設(shè)計中電流開關(guān)包括電流開關(guān)驅(qū)動電路和電流控制開關(guān)兩部分。電流開關(guān)驅(qū)動電路產(chǎn)生用于控制電流開關(guān)的信號,因此是對DAC的動態(tài)性能影響最大的電路模塊之一。電流開關(guān)驅(qū)動電路的前級電路是同步鎖存器,電流開關(guān)驅(qū)動電路根據(jù)同步鎖存器的互補(bǔ)輸出信號驅(qū)動電流開關(guān)。電流開關(guān)驅(qū)動電路對輸入信號進(jìn)行緩沖,并為電流開關(guān)提供盡可能好的控制信號。開關(guān)信號的設(shè)計對D/A轉(zhuǎn)換器的性能也有比較大的影響。因?yàn)槲覀兪菍﹄娏髟催M(jìn)行開關(guān),必須保證電流開關(guān)不能完全關(guān)斷,否則在關(guān)斷時會使電流源輸出電壓飄向電源電壓;而當(dāng)開關(guān)打開時,由于電流源兩端的電勢差不能突變,否則會引入較大的浪涌。極端情況下,電流源的晶體管可能進(jìn)入線性區(qū),使輸出阻抗變糟。為了避免這種情況發(fā)生,我們采用差分開關(guān)結(jié)構(gòu),這樣就始終存在電流通路。開關(guān)信號應(yīng)保持完全匹配,使浪涌降低到最小程度。另外,應(yīng)保持開關(guān)信號的上升時間和下降時間盡可能相等。

  電流開關(guān)驅(qū)動電路及其仿真結(jié)果波形如圖4所示。

 

  在本設(shè)計中,電流開關(guān)是PMOS管差分對的結(jié)構(gòu),并設(shè)計在同一N阱中,從而較好地避免了開關(guān)噪聲和浪涌能量等不利影響。同時為了降低時鐘饋通的影響,我們加入了冗余晶體管結(jié)構(gòu)。電流開關(guān)電路結(jié)構(gòu)如圖5所示。

圖5中的電流開關(guān)由6個PMOS管組成,M1和M2并聯(lián),M3和M4并聯(lián),他們構(gòu)成了一對差分開關(guān),而M5和M6是冗余晶體管。信號IN1與IN2是上級電路——電流開關(guān)驅(qū)動電路輸出的互補(bǔ)開關(guān)控制信號,由于他們的高電平是comp2,所以本電路中晶體管的襯底都接comp2,這樣就能夠降低偏襯效應(yīng)引起的噪聲。

  3.3 電流調(diào)整電路

  本設(shè)計可以通過熔絲編程技術(shù),對高中低位的電流進(jìn)行調(diào)整,從而降低芯片的INL、DNL和增益誤差,使芯片的性能得以提高。對電流的調(diào)整需要控制成比例電流的添加或抽取,但是此控制要通過電流源開關(guān)實(shí)現(xiàn),控制這些開關(guān)的就是熔斷絲電路陣列。在編程熔斷狀態(tài)下,通過編程來熔斷相應(yīng)的熔斷絲,以使該熔斷絲電路控制的電流源開關(guān)處于常開狀態(tài),從而實(shí)現(xiàn)對芯片線性度的永久修正。編程端口對熔斷絲陣列的控制是通過行列譯碼器實(shí)現(xiàn)的。

  4 測試結(jié)果

  通過電路和版圖優(yōu)化設(shè)計,以及采用校準(zhǔn)技術(shù),轉(zhuǎn)換器性能有了較大提高。表1給出了采用0.35μm 1P3M CMOS工藝得到的樣片電路測試結(jié)果。在輸出5.04MHz(@SPAN 4MHz)時,其SFDR為84.9dB。

  參考文獻(xiàn):

  [1]Yang C,et al.A serical-link transceiver based on 8-G samples/s A/D and D/A converters in 0.25-μm CMOS.IEEE J.Solid-State Circuits,2001,36(NOV): 293-301

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  [3]孔瀛,王宗民,許軍.一種16位高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)的設(shè)計與實(shí)現(xiàn). 電子產(chǎn)品世界,2014(1):71-73

  [4]張倬,王宗民,周亮,等.低功耗8-bit 200MSPS時間交織流水線ADC.電子產(chǎn)品世界,2013(12):71-73

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