Silego推出28mΩ靜態(tài)電流超低的P通道Green FET3負載開關(guān)

　　2014年3月12日Silego于美國加州圣克拉拉推出SLG59M1557-一款電阻為28 mΩ并且靜態(tài)電流超低的P通道GreenFET3™ 負載開關(guān)。此款產(chǎn)品采用的是silego專有的亞微米銅裝CuFET技術(shù)。并且可在導(dǎo)通或斷開時實現(xiàn)0.1uA標準電流以及1uA 最大靜態(tài)電流。同時針對ON pin腳還具有一個便于系統(tǒng)MCU無需任何離散的邏輯或電平轉(zhuǎn)換部件便可直接啟動或斷開負載開關(guān)的集成的電壓轉(zhuǎn)換功能。

　　Silego市場部總監(jiān)Jay Li提到，“低靜態(tài)電流以及集成的電壓轉(zhuǎn)換功能是類似穿戴式電子以及超低電源攜帶電子應(yīng)用中比較理想的應(yīng)用功能。該器件可在電源損耗以及電路板空間節(jié)省方面達到世界級水平。相比目前市場上的工作電壓僅達到3.6 V的產(chǎn)品，SLG59M1557V1.5 V 至5.5 V的電壓范圍涵蓋了整個單節(jié)鋰電池電壓范圍。”

　　該款產(chǎn)品的第一版本采用的是STDFN封裝技術(shù)(1.0x1.0x0.55 mm)。STDFN封裝技術(shù)具有極好的機械保護功能。它可直接焊接到PCB板或者無須使用PCB板填充的軟電纜上。在生產(chǎn)與最終使用時，STDFN封裝技術(shù)的機械壓力強度相對WLCSP封裝較高。該技術(shù)對那些頻繁摘下穿戴式電子的用戶尤為重要。

　　59M1557 同時也可采用silego專有Lo-ZTM ETDFN封裝技術(shù)，由此可降低STDFN封裝的最大高度由0.50 mm降至 0.3 mm。詳情請聯(lián)系Silego。

　　SLG59M1557V 特點:

　　· 1.0x1.0 mm 封裝

　　· VD: 1.5 V 至5.5 V

　　· IDD: 0.1uA 標準電流

　　· 集成的電平轉(zhuǎn)換以及VIL控制

　　· 集成的放電電阻

　　目標應(yīng)用:

　　· 穿戴式電子

　　· 智能手機與平板

　　· 極低功率運算系統(tǒng)的電源切換

　　· 空間極端受制以及靈活電路