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基于多環(huán)鎖相寬帶細步進頻率合成器的設(shè)計

作者: 時間:2014-01-24 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
現(xiàn)代軍事電子對頻率源的綜合性能提出了越來越高的要求。寬頻段覆蓋、細頻率步進、低相位噪聲和水平成為了頻率合成器的重要發(fā)展趨勢。為實現(xiàn)上述目標,基于多環(huán)鎖相的綜合頻率合成方式成為了當前高端頻綜的主流設(shè)計方法。文中采用多環(huán)鎖相技術(shù)實現(xiàn)的頻綜,通過合理的頻段選擇方案、雜散規(guī)避等關(guān)鍵設(shè)計技術(shù)的運用,較傳統(tǒng)單環(huán)鎖相式頻率源具備更低的相位噪聲、更小的頻率步進和等特點。

1 多環(huán)鎖相頻綜設(shè)計原理
1.1 單環(huán)鎖相頻率合成器
(PLL)是一個負反饋的相位控制系統(tǒng),基本的路包括鑒相器(PD)、環(huán)路濾波器(LF)、壓控振蕩器(VCO)和可變分頻器幾個基本部分組成。其原理圖如圖1所示。


式中,PNSYNTH為頻率合成器帶內(nèi)相位噪聲,PNTOT為芯片底噪。
為保證能夠得到較高的頻率分辨率,一般只能通過降低鑒相頻率實現(xiàn),造成N值加大,由(1)式可知,相位噪聲將惡化。因此,對于單環(huán)鎖相頻率合成器,相位噪聲和頻率分辨率是相互制約的指標。
1.2 直接數(shù)字頻率合成器
直接數(shù)字頻率合成器(DDS)由相位累加器,波形存儲器,數(shù)模轉(zhuǎn)換器,低通濾波器和參考時鐘五部分,如圖2所示。在參考時鐘的控制下,相位累加器對頻率控制字K進行線性累加,得到的相位碼對波形存儲器尋址,使之輸出相應的幅度碼,進過數(shù)模變換器得到相對應的階梯波,最后經(jīng)低通濾波器得到連續(xù)變化的所需頻率的波形。

c.JPG


DDS利用了相位反饋控制原理控制頻率輸出,不需要外部輔助頻率捕獲,易于集成,可實現(xiàn)很高的頻率分辨率,但是工作頻率有限,雜散水平較難控制。因此,將PLL和DDS組合起來,綜合運用兩者的優(yōu)勢,可以既保證高頻率輸出,又能實現(xiàn)很高的頻率分辨率。
1.3 多環(huán)鎖相頻率合成器
多環(huán)鎖相頻率合成器有多種組成結(jié)構(gòu),包括PLL組合、DDS+PLL等,其中DDS+PLL的結(jié)構(gòu)因頻率分辨率高和低相噪等優(yōu)點,應用最為廣泛。本文中選用的實現(xiàn)結(jié)構(gòu)的設(shè)計思想是,利用DDS產(chǎn)生基帶信號,經(jīng)與PLL兩次混頻擴頻,產(chǎn)生寬頻帶的高分辨率參考信號,進入倍頻拓寬輸出頻率范圍,同時利用的PLL良好的窄帶載波跟蹤特性對DDS參考信號的雜散分量進行跟蹤濾波器,最終實現(xiàn)低相噪頻綜輸出。

2 多環(huán)鎖相寬帶頻綜設(shè)計方案
2.1 設(shè)計目標
下面以1個工程實例為目標,介紹基于DDS+PLL多環(huán)鎖相技術(shù)設(shè)計寬帶頻綜的工作原理。該工程實例的主要技術(shù)指標要求為:
輸出頻率:10~13 GHz;
頻率步進:10 kHz;
輸出功率:>12d Bm;
相位噪聲:≤-90 dBc/Hz@1 kHz;
≤-90 dBc/Hz@10 kHz;
諧波抑制:-15 dBc;
雜散抑制:-65 dBc;
2.2 設(shè)計方案
經(jīng)分析,同時滿足細頻率步進和低相位噪聲、是設(shè)計難點。文中采用DDS+PLL多環(huán)鎖相頻率合成技術(shù)實現(xiàn),工作原理如圖3所示。

d.JPG


這是由多個組成的電路結(jié)構(gòu)。環(huán)路A為直接數(shù)字頻率合成環(huán)路,主要功能是產(chǎn)生步進細調(diào)的頻綜基帶,通過DDS產(chǎn)生步進10 kHz、帶寬100 MHz的基帶頻率信號;環(huán)路B為鎖相點頻源,產(chǎn)生S波段低相噪點頻,通過與DDS信號混頻,把基帶頻譜搬移到S波段,帶寬不變;環(huán)路C為鎖相頻綜,產(chǎn)生L波段步進100 MHz的大步進頻綜,與第一級混頻輸出信號再次混頻,將窄帶細步進信號擴頻,輸出帶寬可大幅提高。環(huán)路D為通過鎖相倍頻N倍,實現(xiàn)X波段的寬帶細步進頻綜輸出。輸出信號與各功能環(huán)輸出信號的關(guān)系為:
fout=[(fDDS+fLO1)-fLO2]xN (2)
該多環(huán)電路結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點是通過對DDS基帶信號的多級混頻,最終實現(xiàn)了寬頻段細步進的覆蓋。同時,通過合理的頻段分配,將各個鎖相環(huán)路的倍頻次數(shù)N控制在相對較低的水平,使相位噪聲的惡化量較小,保證了各個鎖相環(huán)及最終輸出信號相位噪聲的良好水平。
輸出信號的相位噪聲由單環(huán)A、B、C的相位噪聲和鎖相倍頻環(huán)D的倍頻次數(shù)決定。A、B、C環(huán)中,輸出相位噪聲由輸出頻率最高的B環(huán)(輸出頻率3.6 GHz)決定。鑒相器底噪為-233 dBc/Hz@10 kHz,鑒相頻率100 MHz,反饋分頻比N=3 600/100=36,根據(jù)(1)式可以估算,B環(huán)輸出信號相位噪聲為-233+10lg(100x106)+20lg72=-120 dBc(離載波10 kHz處)。環(huán)路D最大倍頻次數(shù)約為6,最終輸出相位噪聲為-120dBc+20lg6=-104 dBc/Hz。考慮閃爍噪聲和電路中其他器件熱噪聲及工程實現(xiàn)性,實際信號輸出滿足-90 dBc/Hz@1 kHz@10 kHz的指標要求。

3 多環(huán)鎖相寬帶頻綜的電路設(shè)計與仿真
3.1 DDS電路設(shè)計
環(huán)路A采用了采用高性能DDS芯片AD9912。AD9912內(nèi)置14 bit DAC;支持高達1GPS的采樣速率;采用1.8 V和3.3 V電源供電,在器件性能大幅提高的前提下也極大地降低了器件功耗;能夠生成高達400 MHz的捷變頻率正弦波形,最高頻率分辨率達到4μHz。目前AD9912已廣泛用于頻率合成器、時鐘發(fā)生器、雷達以及各類測量裝置等。
在環(huán)路A的設(shè)計中,100 MHz參考信號通過鎖相環(huán)倍頻至1 GHz,提供DDS參考時鐘,在頻率控制碼控制下實現(xiàn)細步進基帶輸出。
3.2 鎖相環(huán)電路設(shè)計
鎖相環(huán)路B、C采用了HITTITE公司的數(shù)字鎖相環(huán)芯片HMC440。該芯片具有很低噪聲基底(-233 dBc/Hz@10kHz)和很高的鑒相頻率(1 300 MHz),集成5 bit數(shù)控程序分頻器,在本方案中的環(huán)路B、C使用,用于產(chǎn)生超低相位噪聲的fLO1和fLO2。

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