基于多環(huán)鎖相寬帶細步進頻率合成器的設計
末級鎖相環(huán)路D采用ADI公司鎖相環(huán)芯片AD4108。該芯片工作頻率達8 GHz,控制簡單、功耗極低,同時具有良好的噪聲基底性能。經(jīng)軟件仿真,末級鎖相環(huán)路電路參數(shù)及輸出相噪如圖4,5所示。
整個多環(huán)鎖相電路結構比較復雜,包含鎖相電路及數(shù)字控制電路等。為保證輸出信號相位噪聲和雜散抑制性能,結構設計中采取了多腔體分隔的結構,并注意微波吸收材料的使用,保證各個功能環(huán)路工作穩(wěn)定且整體電磁兼容性能良好。
4 電路調(diào)試與測試結果
由于合理的方案設計和準確仿真,相位噪聲等主要指標均可實現(xiàn)。如圖6所示,全頻段輸出信號相位噪聲可達到-92 dBc@1kHz;-92 dBc @10kHz。
由于各功能環(huán)路輸出中間頻率信號較多,雜散控制是調(diào)試難點。在測試中發(fā)現(xiàn),有少數(shù)頻點的近端有雜散較大,主要分布在參考100 MHz整數(shù)倍附近的細步進頻段,經(jīng)分析,該類雜散的產(chǎn)生主要是由于環(huán)路A中DDS輸出信號與參考信號100 MHz及其諧波經(jīng)鏈路泄露或空間輻射進入混頻器及鑒相器中,產(chǎn)生的高階交調(diào)出現(xiàn)在輸出信號近端,由于分布在鎖相環(huán)路帶寬以內(nèi),難以消除。該現(xiàn)象的產(chǎn)生說明,多環(huán)鎖相的細步進頻綜對模塊內(nèi)部各功能單元的電磁屏蔽與隔離要求非常高。通過調(diào)試分析,可通過改變A、C環(huán)路輸出頻率和環(huán)路D的倍頻次數(shù)N的方法規(guī)避和解決。根據(jù)公式(2),通過掃頻,一旦發(fā)現(xiàn)存在近端雜散的頻率點,通過改變fDDS、fLO2和末級鎖相環(huán)倍頻次數(shù)N的頻率組合,同樣可以實現(xiàn)相同頻率的輸出,且fDDS發(fā)生改變,與100 MHz的高階交調(diào)雜散分布遠離主信號中心,可被末級鎖相環(huán)路濾波器濾除。圖7為經(jīng)過后期頻率控制程序處理前后的雜散分布對比圖,可見主信號近端雜散已經(jīng)明顯消除。
經(jīng)不斷調(diào)試改進,各項指標最終測試結果如表1,均滿足設計指標要求。
5 結 論
文中介紹了基于多環(huán)結構的鎖相寬帶頻率合成技術,在實現(xiàn)細頻率步進和低雜散的指標要求情況下,相位噪聲可達到≤-92 dBc/Hz@1 kHz,滿足系統(tǒng)對高質(zhì)量頻率合成器的需求,具有較好的應用前景。
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