臺積電16nm比三星強 英特爾仍非競爭因素
臺積電(2330-TW)(TSM-US)董事長張忠謀今(24)日在股東會期間表示,臺積電16奈米比三星強很多,至于英特爾仍不是一個競爭因素。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/248857.htm他回應股東提問「2個勁敵」說,這兩個公司正如這位股東所說,三星在14/16奈米已經(jīng)布局蠻久了,「我們每天都在注意他們在做甚么」也每天再檢討「我們的競爭姿態(tài)」,「我是非常滿意我們的姿態(tài)」!
他指出,這個行業(yè)講究的三樣技術(shù)、生產(chǎn)力、客戶信任一一來看,技術(shù)上,臺積電16奈米技術(shù)超過了三星且比他要好,英特爾則還不再這個競爭里頭,英特爾他的技術(shù)主要在大CPU而我們則在行動裝置市場,因此英特爾還不是一個競爭因素!
第二生產(chǎn)能力,他指出產(chǎn)能來說,臺積電與三星比來說又是強很多,英特爾也仍不是一個競爭因素。第三看客戶關(guān)系與信任供應者,這一點上,「相信我們的客戶的信任是遠優(yōu)過客戶對三星的信任」。
他也幽默說,若看報紙關(guān)于三星各方面的評論、都是認為三星的systemLSI的表現(xiàn)是不受三星高層的肯定,這也是有點原因的。
展望未來,他表示,在10奈米布局上,的確英特爾也在進行,但相信10奈米還有好幾年,而臺積電開始Tapeout將約在目前的一年后、屆時相信會有相當重要的Tapeout,目前臺積電與重要客戶的合作非常積極、在R&D的進度他是相當滿意。
臺積電致股東報告書已提到,臺積電20奈米SoC已獲得客戶熱烈回響,預期較28奈米更快量產(chǎn)之下達成驅(qū)動該公司今年與明年顯著成長動力。臺積電10奈米制程技術(shù)正順利研發(fā)中,預計2015年試產(chǎn)、2016年量產(chǎn);同時7奈米開發(fā)也已同步展開。而10奈米制程是繼16奈米FinFET及16奈米FinFET+后的第三代FinFET制程。
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