應(yīng)用材料推出CMP和CVD新半導(dǎo)體制造系統(tǒng)產(chǎn)品

　　加利福尼亞州圣克拉拉--應(yīng)用材料公司今日宣布推出兩款幫助客戶解決在制造高性能、低功耗3D器件關(guān)鍵性挑戰(zhàn)的全新半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，展示了其在高尖端半導(dǎo)體材料工程上的專業(yè)領(lǐng)先地位。其中，AppliedReflexion®LKPrime™化學(xué)機(jī)械研磨拋光系統(tǒng)(CMP)擁有出色的硅片平整拋光性能，能讓FinFET及3DNAND結(jié)構(gòu)的應(yīng)用達(dá)到納米級(jí)的精度。另一款A(yù)ppliedProducer®XPPrecision™化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(CVD)則能滿足垂直3DNAND結(jié)構(gòu)對(duì)淀積的基本要求。全新的CMP和CVD設(shè)備直接解決了3D結(jié)構(gòu)在精密、材料及缺陷方面的挑戰(zhàn)，幫助其實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。

　　應(yīng)用材料公司半導(dǎo)體材料事業(yè)部執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理RandhirThakur博士表示："隨著人們對(duì)移動(dòng)性的需求日益增加，3D結(jié)構(gòu)也日趨復(fù)雜化，因而亟需工程領(lǐng)域的創(chuàng)新。復(fù)雜的設(shè)計(jì)需要大量新技術(shù)、新材料的投入，以實(shí)現(xiàn)最佳的器件性能，并提高產(chǎn)品良率。今天我們發(fā)布的最新CMP和CVD系統(tǒng)，能夠滿足不同客戶的多樣需求，實(shí)現(xiàn)高級(jí)3D邏輯和內(nèi)存芯片的量產(chǎn)轉(zhuǎn)型。"

　　在3D結(jié)構(gòu)中，CMP對(duì)FinFET的柵結(jié)構(gòu)和NAND階梯結(jié)構(gòu)起著至關(guān)重要的作用。新器件結(jié)構(gòu)的要求十分嚴(yán)苛，有些甚至需要增加至10個(gè)研磨拋光工序，而ReflexionLKPrimeCMP系統(tǒng)的設(shè)計(jì)初衷便是滿足這些高要求。LKPrime設(shè)備以其先進(jìn)的工藝技術(shù)，史無(wú)前例地推出6個(gè)研磨拋光站和8個(gè)清洗站步驟并配有先進(jìn)的高精度工藝參數(shù)控制技術(shù)，使客戶能夠在硅片薄膜性能和產(chǎn)能方面得到顯著的改善與提高。通過(guò)為ReflexionLKPrime系統(tǒng)增加拋光和清洗站，硅片的產(chǎn)出得以翻倍，生產(chǎn)效率提升最高可達(dá)100%。

　　通過(guò)獨(dú)立應(yīng)用每個(gè)研磨拋光站及清洗站，芯片制造商在拋光工藝上擁有了更大的靈活性，可以按不同要求提供特出工藝，精確控制薄膜拋光尺寸及平整度，減少器件缺陷及雜質(zhì)。LKPrime系統(tǒng)包含即時(shí)參數(shù)反饋分析和拋光終點(diǎn)探測(cè)控制技術(shù)，能夠保證硅片薄膜自身的均勻性及硅片與硅片間的可重復(fù)性，從而滿足未來(lái)器件的節(jié)點(diǎn)要求。憑借這些優(yōu)勢(shì)，LKPrime系統(tǒng)在控制FinFET的柵高上能使硅片上所有的器件元達(dá)到納米級(jí)的均勻性。這是一項(xiàng)十分重要的工藝，因?yàn)榧词故荈inFET柵高的一個(gè)極小變化，都會(huì)影響器件的性能和良率。對(duì)于3DNAND來(lái)講因其擁有更厚的薄膜層和大塊的表面結(jié)構(gòu)，需要持久和穩(wěn)定的研磨拋光工藝，多工藝加工站能為其提供穩(wěn)定和可控的拋光平坦化加工。

　　3DNAND產(chǎn)業(yè)的變革也亟需針對(duì)垂直柵制作和復(fù)雜圖形結(jié)構(gòu)應(yīng)用的先進(jìn)沉積技術(shù)。ProducerXPPrecisionCVD系統(tǒng)通過(guò)對(duì)納米級(jí)層結(jié)構(gòu)間薄膜厚度的精密控制，達(dá)到硅片上關(guān)鍵尺寸的高度均勻性，從而支持3DNAND的轉(zhuǎn)型。該系統(tǒng)性能的關(guān)鍵在于獨(dú)一無(wú)二的精密腔體設(shè)計(jì)，并能夠調(diào)整溫度、等離子體、氣流等關(guān)鍵參數(shù)。通過(guò)提供靈活的工程技術(shù)，應(yīng)用材料公司能幫助客戶實(shí)現(xiàn)卓越的應(yīng)力控制和硅片內(nèi)、硅片間和層結(jié)構(gòu)間的均勻性，從而支持不同類型的優(yōu)質(zhì)、低缺陷薄膜的交替淀積，提高柵極性能，降低器件的差異率。

　　全新的XPPrecision系統(tǒng)專為批量生產(chǎn)而設(shè)計(jì)，將已應(yīng)用于實(shí)際生產(chǎn)中的ProducerCVD技術(shù)與更高效快捷的工藝腔技術(shù)相結(jié)合。此外，該系統(tǒng)采用全新的模塊化主機(jī)結(jié)構(gòu)和高速設(shè)計(jì)理念，進(jìn)一步提高了產(chǎn)出密度、降低了設(shè)備的持有成本。XPPrecision系統(tǒng)大幅優(yōu)化了精密淀積效果，在提高產(chǎn)量的基礎(chǔ)上，使圖案結(jié)構(gòu)和多層式薄膜堆疊實(shí)現(xiàn)更薄、更優(yōu)的材料，從而應(yīng)對(duì)3DNAND結(jié)構(gòu)不斷縮小的趨勢(shì)。