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意法半導(dǎo)體(ST)推出先進的1200V IGBT,可實現(xiàn)更長的使用壽命、節(jié)省更多能源

作者: 時間:2014-07-12 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術(shù)提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數(shù)校正(PFC, Power-Factor Correction)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的能效和耐用性。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/249606.htm

  的新1200V 將關(guān)斷損耗和導(dǎo)通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值),這能確保總體損耗降至最低,在20kHz開關(guān)頻率下更高效地工作。

  此外, 新款1200V 提供集成高速恢復(fù)反并聯(lián)二極管的選項,以助力開發(fā)人員優(yōu)化硬開關(guān)電路的性能,使用續(xù)流二極管大幅降低開關(guān)電路的能源損耗。

  
       新款I(lǐng)GBT的耐用性極強,當實際電流是標準電流的四倍時無閂鎖效應(yīng),短路時間極短,僅5µs(在150°C 初始結(jié)溫時)。最大工作結(jié)溫擴大到175°C,有助于延長產(chǎn)品的使用壽命,簡單化系統(tǒng)散熱設(shè)計。寬安全工作區(qū)(SOA,Safe Operating Area)提升大功率應(yīng)用的工作可靠性。

  優(yōu)異的防電磁干擾(EMI,electromagnetic interference)是新產(chǎn)品的另一大優(yōu)點,這歸功于新系列產(chǎn)品在開關(guān)過程中取得近乎理想的波形,令競爭產(chǎn)品望塵莫及。Vce(sat)的正溫度系數(shù),結(jié)合器件之間參數(shù)分布緊密,使其在大功率應(yīng)用中實現(xiàn)更安全的并行工作。

  IGBT現(xiàn)已量產(chǎn),采用TO-247封裝,有15A、25A和 40A三個型號。

  詳情請瀏覽:www.st.com/igbt

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關(guān)鍵詞: 意法半導(dǎo)體 IGBT H系列

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