英特爾芯片在移動市場的競爭力得到大幅提升
由于新產(chǎn)品在設計和制造工藝上與上一代產(chǎn)品相比都有長足進展,英特爾在移動市場的競爭力得到大幅提升。高通即將發(fā)布的驍龍810芯片的跑分已經(jīng)出爐,英特爾新款移動芯片的跑分要到英特爾開發(fā)商論壇(9月9日-11日)期間才能披露出來。英特爾已經(jīng)解決了所有實際問題——能耗、封裝和性能。但是,價格、GPU(圖形處理單元)性能、集成的GPU內(nèi)核數(shù)量等因素,將使高通在轉向16納米工藝前能繼續(xù)保持領先地位。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/262362.htmBroadwell酷睿M的技術進步
CPU(中央處理單元)的性能提高幅度非常大。更小的封裝工藝、能耗的提高、每周期執(zhí)行的指令數(shù)量和更低的熱設計功耗,所有這些因素大幅提高了Broadwell酷睿M的效能比。
英特爾通過降低發(fā)熱量確保采用其移動芯片的的產(chǎn)品無需使用風扇。這將增加英特爾進入智能手機和平板電腦市場的幾率,因為更小尺寸的CPU有助于催生更輕薄的設備設計。對于移動設備廠商來說,降低設備厚度是它們優(yōu)先考慮的一個問題,這有助于提高設備的便攜性。多年來,英特爾還一直在采取措施降低GPU閑置期間的能耗。
高通驍龍810芯片采用20納米工藝,不如英特爾Broadwell酷睿M的14納米工藝。在圖形處理方面,英特爾的設計可能不如高通優(yōu)秀。但是在CPU方面,筆者認為,即使英特爾的設計略有遜色,但更高的晶體管密度、每周期執(zhí)行的指令的增加,將提供足夠高的性能,使英特爾在明年與高通的競爭中不會落于下風。
科技博客網(wǎng)站GSMArena報道,“驍龍810集成有4個Cortex-A57內(nèi)核和4個Cortex-A53內(nèi)核,與驍龍805芯片相比性能提升25%-55%,能耗降低20%。驍龍810配置全新的Adreno430GPU,性能比Adreno420提高30%。”
高通計劃通過更多的內(nèi)核、能耗降低20%,與英特爾競爭。Adreno430是Adreno420的后續(xù)產(chǎn)品,性能的提升主要來自制造工藝由28納米提升為20納米。
最先進的調(diào)制解調(diào)器芯片使高通能繼續(xù)保持其競爭優(yōu)勢。英特爾的XMM7260在性能上遜于高通的Gobi9x35。在調(diào)制解調(diào)器技術方面的優(yōu)勢使得高通不會在英特爾的制造工藝進步面前完全認輸。高通在CPU中增添更多內(nèi)核的臨時解決方案不夠“節(jié)能”,但會提升性能。
結論
在設計方面,Broadwell酷睿M修正了Haswell的諸多缺陷。高通擁有優(yōu)秀的CPU/GPU/調(diào)制解調(diào)器解決方案,以及能添加NFC(近距離通信)和無線充電功能的半定制設計。
英特爾將推出第二代FinFET芯片,有更多的時間開發(fā)更好的CPU/GPU/調(diào)制解調(diào)器設計。在價格和性能方面,英特爾大幅縮小了與高通之間的差距。
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