DRAM芯片市場Q4面臨供給過剩隱憂

　　美光(MicronTechnology)、SanDiskCorp.2日股價分別下挫3.34%、2.37%，主要是受到DRAM恐怕會在2015年供給過剩的影響。

　　MarketWatch2日報導，Wedbush分析師BetsyVanHees在接受專訪時表示，這兩檔個股之所以下跌，明顯是受到有報導指出記憶體市況面臨供給過剩隱憂的消息沖擊。EETimes2日發(fā)表文章指出，DRAM業(yè)者預料會在第4季增加產(chǎn)能，可能會讓記憶體芯片大廠面臨相當多的挑戰(zhàn)，這當中包括供給過剩。

　　美光2日終場下挫3.34%、收31.51美元，創(chuàng)8月15日以來收盤新低。SanDisk也下跌2.37%、收95.64美元，創(chuàng)8月19日以來收盤新低。

　　barron`s.com曾在7月31日引述StreetInsider.com報導，高盛分析師MarkDelaney發(fā)表研究報告指出，三星已連續(xù)第2季上修DRAM位元供應量成長預估值，目前并計劃在2015年為“Line17”生產(chǎn)線安裝DRAM設備。三星今(2014)年第2季的DRAM位元出貨量季增約20%，高于該公司原先預估的約15%季增率。

　　展望本季(Q3)，三星預估業(yè)界的DRAM位元出貨量將季增6-9%，而三星自身的成長率更將高于整體產(chǎn)業(yè)的平均值。更重要的是，三星還調(diào)高了今(2014)年DRAM產(chǎn)業(yè)的位元供應量預估值，由原先的26-29%年增率上修至30-34%，而三星對自身今年的位元出貨量成長率預估值也從原先的36-39%上修至46-49%。

　　三星一開始預估的DRAM產(chǎn)業(yè)的位元出貨量成長率僅約25%，這是該公司連續(xù)第二季上修D(zhuǎn)RAM供應展望。另外，三星也開始對Line17投入資金、準備生產(chǎn)DRAM，雖然新的產(chǎn)能將依據(jù)市況變化作調(diào)整，但該公司目前仍預估Line17到了明年年中就能開始生產(chǎn)DRAM。依據(jù)上述理由，高盛認為今年供應量增加、加上明年新產(chǎn)能上線，對美光將愈來愈不利。

　　韓國時報(KoreaTimes)也于8月6日引述某三星不具名決策主管消息報導指出，三星電子今年75%的投資都將放在記憶體芯片事業(yè)上，因為三星相信，半導體事業(yè)可以適時補足智慧型手機市占率下滑在獲利上所造成的缺口。