三星完成20納米Mobile DRAM量產(chǎn)

　　三星電子(Samsung Electronics)在稍早正式量產(chǎn)20奈米Mobile DRAM，將有望幫助三星提高生產(chǎn)力以及成本競(jìng)爭(zhēng)力。尤其在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手們?nèi)酝Ａ粼?0奈米中段制程的情況下，隨著三星在20奈米時(shí)代下畫上句點(diǎn)，分析認(rèn)為，三星將有望可以在2015年前進(jìn)10奈米時(shí)代，拉開與對(duì)手的技術(shù)差距。

　　韓媒edaily指出，三星繼稍早3月投產(chǎn)的PC用20奈米4Gb DDR3 DRAM，此次將20奈米制程擴(kuò)大到Mobile DRAM。采用20奈米制程的產(chǎn)品可以提升30%以上的生產(chǎn)力，而電力消耗量也可以節(jié)省10%以上。

　　更多而三星透過(guò)此次研發(fā)20奈米DRAM，將可以大幅減少成本。尤其是從2014年開始，Mobile DRAM需求超越PC用DRAM，三星半導(dǎo)體業(yè)績(jī)有望大幅改善。根據(jù)朝鮮日?qǐng)?bào)引用市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange資料指出，2014年Moblie DRAM出貨量比重，將以36%首度超越PC用DRAM的30%。

　　現(xiàn)代證券研究員指出，三星此次研發(fā)出的20奈米Mobile DRAM，雖不會(huì)大幅改變市占率，但絕對(duì)可以改善三星業(yè)績(jī)。由于生產(chǎn)力的上升，以同樣價(jià)格銷售時(shí)，獲利也將大幅提高。

　　南韓業(yè)界則是一陣看好三星半導(dǎo)體事業(yè)，預(yù)期在2014年?duì)I利將可以來(lái)到8兆韓元(約77億美元)左右，而2015年則有望成長(zhǎng)超過(guò)9兆韓元。如果能持續(xù)維持，三星半導(dǎo)體事業(yè)將有望重回2010年?duì)I利10兆韓元的光榮時(shí)期。

　　三星則是計(jì)劃透過(guò)20奈米產(chǎn)品，搶占大容量Mobile DRAM市場(chǎng)。三星記憶體事業(yè)部行銷團(tuán)隊(duì)常務(wù)白志浩(音譯)自信滿滿的表示，此次推出的20奈米Mobile DRAM將能稱霸高性能Mobile DRAM市場(chǎng)，未來(lái)將會(huì)搭載在旗艦智慧型手機(jī)、平板電腦、穿戴式裝置等產(chǎn)品上。

　　三星從2006年開始研發(fā)50奈米級(jí)DRAM后，在2010年進(jìn)展到30奈米級(jí)，2011年時(shí)則推進(jìn)到20奈米級(jí)微細(xì)制程。edaily指出，三星在2014年正式量產(chǎn)20奈米產(chǎn)品后，極有可能率先進(jìn)入10奈米級(jí)時(shí)代。

　　隨著三星研發(fā)出改良型的雙圖樣微影技術(shù)(Double Patterning)，透過(guò)既有設(shè)備做好量產(chǎn)10奈米級(jí)產(chǎn)品的準(zhǔn)備。南韓半導(dǎo)體業(yè)界預(yù)估，三星將會(huì)在2015年研發(fā)出10奈米級(jí)產(chǎn)品，并在2016年開始投產(chǎn)。

　　以此，三星有望拉開與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)差距。SK海力士(SK Hynix)預(yù)計(jì)在下半年正式量產(chǎn)20奈米中段制程產(chǎn)品，恐怕要等到2015年才有望能成功研發(fā)20奈米產(chǎn)品。