華虹擁先進(jìn)Super Junction工藝平臺(tái)，提供更低耗、更高效、更小巧綠色芯制造平臺(tái)

　　(「華虹」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱(chēng)「集團(tuán)」) 擁有業(yè)界一流的的溝槽型600V-700V Super Junction (超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)) MOSFET (SJNFET) 工藝平臺(tái)，可為日益增長(zhǎng)的移動(dòng)終端、4G網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算和LED照明等熱點(diǎn)應(yīng)用，提供更低功耗，更高效率，更小尺寸的綠色芯制造平臺(tái)。

　　隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、綠色能源技術(shù)的發(fā)展，以及全球節(jié)能減排的趨勢(shì)，產(chǎn)品應(yīng)用對(duì)電源系統(tǒng)提出更高的效率要求。作為開(kāi)關(guān)電源，充電器/適配器，不間斷電源和LED驅(qū)動(dòng)等電源系統(tǒng)整流的核心器件，功率半導(dǎo)體是降低功耗、提高效率的關(guān)鍵。革命性的超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)器件應(yīng)運(yùn)而生，打破了傳統(tǒng)MOSFET器件的「硅極限」(導(dǎo)通電阻正比于擊穿電壓的2.4~2.6次方)，在同樣的封裝條件下能夠?qū)崿F(xiàn)更低的導(dǎo)通阻抗和更快的開(kāi)關(guān)頻率。目前，這一技術(shù)主要由少數(shù)幾個(gè)國(guó)際產(chǎn)品大廠所掌握，華虹作為專(zhuān)業(yè)的200mm純晶圓代工廠，創(chuàng)新性地推出了先進(jìn)的SJNFET工藝平臺(tái)，可以為廣大客戶(hù)提供業(yè)界一流的SJNFET產(chǎn)品制造服務(wù)。

　　憑借10多年的功率器件技術(shù)優(yōu)勢(shì)，華虹于2010年突破了深溝槽刻蝕填充工藝的世界級(jí)難題，推出了獨(dú)特的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的溝槽型SJNFET工藝平臺(tái)，可以支持500V~900V不同電壓等級(jí)的產(chǎn)品生產(chǎn)。與傳統(tǒng)的多層外延型SJNFET工藝相比，溝槽型結(jié)構(gòu)具有光刻層次少、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、高溫特性好、制造周期短和性能提升潛力大等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)，華虹在北美有超過(guò)10個(gè)，中國(guó)內(nèi)地超過(guò)100個(gè)的SJNFET相關(guān)專(zhuān)利授權(quán)，可以為客戶(hù)提供平臺(tái)化代工服務(wù)，極大地縮短客戶(hù)產(chǎn)品time-to-market的時(shí)間。

　　多家客戶(hù)基于華虹平臺(tái)設(shè)計(jì)的SJNFET產(chǎn)品展現(xiàn)出優(yōu)異性能，并于2011年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在此基礎(chǔ)上，華虹于2012年底又成功推出第二代SJNFET工藝平臺(tái)，與第一代產(chǎn)品相比導(dǎo)通電阻降低了30% (單位面積導(dǎo)通電阻1.8 ohm.mm2)，達(dá)到業(yè)界一流水平，并且擁有更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的開(kāi)關(guān)損耗、更小的芯片面積、更強(qiáng)的短路耐量和抗電磁干擾能力。到目前為止，華虹SJNFET工藝平臺(tái)已有全球合作伙伴超過(guò)20家，工藝良率穩(wěn)定在98%以上，為業(yè)界一線終端廠商提供可靠的高壓功率芯片。截至2014年八月，公司SJNFET平臺(tái)出貨量已超過(guò)4萬(wàn)片。

　　華虹將繼續(xù)發(fā)揮自身工藝和研發(fā)優(yōu)勢(shì)，擬推出世界領(lǐng)先的第三代SJNFET工藝平臺(tái)，進(jìn)一步鞏固公司于功率分立器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，協(xié)助客戶(hù)推出更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，持續(xù)為世界制造綠色芯。