明年資本支出 臺積將首超三星、英特爾

　　先進制程成為半導(dǎo)體巨擘兵家必爭之地，臺積電日前于法說會上初透口風(fēng)，表示明年資本支將約略高于100億美元，主要將用于16奈米制程的產(chǎn)能布建及10奈米的準備工作。工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)則估，臺積電明年資本支出可望達到115億美元，超越英特爾、三星。

　　IEK分析，今年全球半導(dǎo)體廠商的資本支出估達643.6億美元、年增8.4%，其中三星、英特爾、臺積三強均超過百億美元。如此龐大的資本支出，即是由于在擴大產(chǎn)能之余，先進制程的研發(fā)投資成本亦跟著水漲船高。舉例來說，一條20奈米產(chǎn)線的投資金額就高達70億美元。

　　IEK進一步指出，半導(dǎo)體廠商資本支出呈現(xiàn)大者恒大趨勢，2013年前十大半導(dǎo)體廠商的資本支出占全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總資本支出達8成、前三大廠商資本支出占全球比重更達到5成。若檢視今年資本支出狀況，可發(fā)現(xiàn)除三星下滑外，其他主要半導(dǎo)體廠商均較去年成長。IEK預(yù)估，受中國大陸政府大力支持的晶圓代工廠中芯(SMIC)，今年資本支出更年增140%、來到15.65億美元，這個數(shù)字已超越聯(lián)電(2303)今年資本支出的12億美元。

　　展望明年，IEK認為，臺積資本支出可望首度超越三星、英特爾，前提是三星預(yù)訂豪擲150億美元興建的平澤晶片廠，明年尚未開始動工。