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干掉閃存 下代MRAM首次展示:快7倍

作者: 時間:2014-11-20 來源:互聯(lián)網(wǎng) 收藏

  近日,日本首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash。MRAM全稱磁阻隨機訪問內(nèi)存,已經(jīng)存在一段時間了,但是將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),而它的名字來自自旋傳輸矩,也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/265691.htm

  MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM,當(dāng)同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。

干掉閃存  下代MRAM首次展示:快7倍
干掉閃存  下代MRAM首次展示:快7倍

  多年來一直在研究STT-MRAM,但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR Flash進(jìn)行了肩并肩對比,讀寫數(shù)據(jù)的速度是后者的7倍多——342MB/s VS. 48MB/s。

  不過目前測試芯片的容量才8Mb(1MB),實在微不足道。

  TDK已經(jīng)讓手下的Headway Technologies(位于美國加州)試產(chǎn)了一塊8英寸(200毫米)的MRAM晶圓,但它沒有量產(chǎn)能力,商用的時候必須另外尋找代工伙伴。

  至于MRAM何時能夠投入實用,目前還沒有確切時間表,但是TDK估計說可能需要長達(dá)10年。

  Intel、IBM、三星、海力士、東芝也都在不同程度地研發(fā)STT-MRAM,而美國亞利桑那州的Everspin Technologies甚至已經(jīng)小批量出貨,Buffalo固態(tài)硬盤的緩存就用到了它。

 



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