瑞薩科技宣布開發(fā)出superSRAM
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下面總結(jié)了這種技術(shù)和產(chǎn)品的主要性能。
(1)很高的軟錯誤容錯性
與瑞薩科技先前的0.13 μm工藝16M位小功率SRAM（沒有ECC電路*3）相比，軟錯誤率大約減小了4個數(shù)位，這是通過在每個存儲單元的存儲節(jié)點*5上使用DRAM單元中使用的那種圓柱電容器*4來實現(xiàn)的。α射線輻射實驗證實，這種產(chǎn)品首次實現(xiàn)了SRAM中沒有由軟錯誤引起的位錯誤。
軟錯誤容錯率問題這一常規(guī) SRAM存在的基本問題，已經(jīng)得到解決，可以實現(xiàn)更高可靠性、更高密度的SRAM。
(2)在業(yè)界0.15 μm工藝SRAM產(chǎn)品中，它具有最小的存儲器元件尺寸。
通過將使用TFT*6的SRAM單元與DRAM電容器組合起來，開發(fā)出的新型單元，在業(yè)界0.15 μm工藝SRAM產(chǎn)品中，具有最小的存儲器元件尺寸：0.98 μm2。其單元尺寸，比瑞薩科技目前的基于CMOS 0.15 μm工藝的SRAM小一半多。它可以大大減小芯片尺寸、使移動設(shè)備更小巧。
另外，數(shù)據(jù)保持電流可以達到小于1 μA。與使用DRAM存儲單元的贗SRAM不同，新型SRAM單元不需要刷新操作。與贗SRAM相比，數(shù)據(jù)保持電流大約提高了2位數(shù)，用于更低功耗的移動應用。
(3)可以使用現(xiàn)有的0.15 μm工藝制造。
不需要使用特殊的工藝，就可以實現(xiàn)更高的性能和更小的元件面積?？梢允褂矛F(xiàn)有的工藝技術(shù)制造，從而可以盡快地將產(chǎn)品投放市場
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