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臺積電采購EUV 2018年或邁入7納米時代

作者: 時間:2014-12-15 來源:中國電子報 收藏
編者按:按照現(xiàn)在量產(chǎn)產(chǎn)品工藝進(jìn)展的速度,幾乎可以預(yù)見的是,2018年上7納米的愿望很美好,但是實際情況卻困難重重,幾乎是不太可能的事,即便在技術(shù)上能實現(xiàn),在商業(yè)上來看也不能算是理性的選擇。

  歐洲半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML透露,晶圓代工大廠(TSMC)計劃在2015年采購兩套超紫外光()掃描機(jī),或?qū)⑻降字?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/7納米">7納米的工藝技術(shù)節(jié)點。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/266782.htm

  根據(jù)ASML資深副總裁FritsvanHout的描述,采購的掃描機(jī)是針對10納米工藝應(yīng)用。他預(yù)期,可能最快在2018年以采購ASML的掃描機(jī)展開工藝芯片量產(chǎn)。

  在11月24日舉行的倫敦法說會上,ASML宣布接獲臺積電2臺NXE:3350BEUV系統(tǒng)訂單,預(yù)計于2015年出貨,用于量產(chǎn)。ASML表示,業(yè)界可能會開始傾向于支持EUV技術(shù)。

  臺積電在2012年8月便曾表示,同意投資ASML約85.4億元,以確保取得最新的量產(chǎn)技術(shù)知識。此次采用EUV設(shè)備,臺積電可能成為下一代半導(dǎo)體微影主流技術(shù)的第一波推動者。

  臺積電共同執(zhí)行長劉德音說,他希望該套設(shè)備能在2015年年底準(zhǔn)備好試產(chǎn),并在2016年正式生產(chǎn)。

  ASML估計邏輯電路會最早使用EUV工藝,將在2016年的10納米節(jié)點上實現(xiàn)量產(chǎn),NAND閃存會在2019開始啟用EUV工藝,DRAM及MPU產(chǎn)品則會在2018年進(jìn)入EUV時代。如果一切順利,ASML預(yù)計2020年前會出貨50臺~60臺EUV設(shè)備,營收達(dá)到120億美元。



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