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2015年P(guān)A市場(chǎng)難緩供貨緊張狀態(tài)

作者: 時(shí)間:2014-12-31 來源:集微網(wǎng) 收藏

  今年國內(nèi)中低端智能手機(jī)的爆發(fā)對(duì)PA需求不斷放大。從第二季度開始,PA芯片市場(chǎng)便處于供貨緊張的狀態(tài),5月下旬更出現(xiàn)斷貨問題,PA芯片供給缺口越來越大。集微網(wǎng)記者今天有幸采訪到國內(nèi)射頻前端廠商中普微電子的CEO焦健堂先生,業(yè)內(nèi)親切的稱呼他“焦叔“,聊聊中普微電子的現(xiàn)狀以及未來PA市場(chǎng)的發(fā)展前景。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/267524.htm

  2015年P(guān)A市場(chǎng)供貨吃緊狀態(tài)難解

  PA()是手機(jī)中除主芯片外最重要的外圍元件之一,影響著手機(jī)的信號(hào)強(qiáng)度、通信質(zhì)量以及基站效率。2G手機(jī)時(shí)代僅需要兩顆PA,而手機(jī)時(shí)代因LTE頻段的碎片化,使得一部手機(jī)需要四顆PA芯片。據(jù)iFixit的iPhone 6手機(jī)拆解分析中發(fā)現(xiàn)其使用了5顆PA芯片。

  焦叔認(rèn)為,由于對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)的快速發(fā)展預(yù)測(cè)不準(zhǔn),各PA廠商的存貨量不足,導(dǎo)致PA市場(chǎng)處于供貨吃緊狀態(tài)。目前中普微電子的主要客戶以TCL、天瓏、西可和海派為主,公司擁有國內(nèi)最全的3G PA產(chǎn)品線,滿足客戶對(duì)于PA的市場(chǎng)需求,明年公司還將推出 PA芯片以應(yīng)對(duì)4G智能手機(jī)的快速發(fā)展。隨著2015年4G智能機(jī)的新一輪爆發(fā)期,PA市場(chǎng)的供貨吃緊狀態(tài)可能還將持續(xù)。

  “中普微電子2014年的銷售額是1300萬美金,我們希望在明年做到3000萬~5000萬美金,”焦叔說道。IDC發(fā)布最新中國智能手機(jī)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,2015年中國智能手機(jī)的出貨量有望達(dá)到4.5億,其中將有3.3億部手機(jī)支持4G,占比達(dá)到71.7%。TCL公司明年也將市場(chǎng)目標(biāo)定在1億臺(tái)。隨著不斷增長的市場(chǎng)需求,相信中普明年銷售目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)沒有問題。

  服務(wù)品質(zhì)年 中普重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)的積累

  中普微電子是由在北美半導(dǎo)體行業(yè)工作多年,具有集成電路設(shè)計(jì)、系統(tǒng)集成及企業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)的團(tuán)隊(duì)組成,公司于2010年成立,總部設(shè)在無錫,在上海、深圳、香港和美國的達(dá)拉斯設(shè)有銷售和研發(fā)中心,主要從事射頻IC設(shè)計(jì)、研發(fā)及銷售。

  中普一直以其高性價(jià)比的優(yōu)勢(shì)在市場(chǎng)上備受歡迎,得到眾多客戶和品牌商的肯定。焦叔對(duì)中普最大的組織架構(gòu)調(diào)整是實(shí)現(xiàn)研發(fā)人員與客戶的直接對(duì)接。這不僅能夠更好的提高效率,還能讓研發(fā)人員了解到客戶的真正需求,起到一舉兩得的功效。 ”對(duì)于中普來說,2015年將是個(gè)‘服務(wù)品質(zhì)年’!“焦叔講道,”我們將更貼近客戶,貼近應(yīng)用,而不僅僅是解決技術(shù)問題。“研發(fā)能力是產(chǎn)品品質(zhì)的基本保障,而客戶滿意度則是公司服務(wù)品質(zhì)的最終追求,中普將會(huì)緊貼著這兩個(gè)重要指標(biāo)為客戶提供服務(wù)。

  穩(wěn)定性和移植性是PA芯片的兩個(gè)重要指標(biāo),中普微電子的PA產(chǎn)品在客戶端已經(jīng)通過高通、聯(lián)發(fā)科、博通以及展訊等公司的認(rèn)證,在性能和兼容性上得到了客戶的一致肯定。在技術(shù)創(chuàng)新方面,中普微電子一直重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)的積累,對(duì)于智能手機(jī)廠商走出海外可能遇到的“知識(shí)產(chǎn)權(quán)問題”,焦叔表示中普絕對(duì)不會(huì)出現(xiàn)這樣的問題。

  PA芯片市場(chǎng)的工藝技術(shù)前景

  砷化鎵(AsGe)材料一直以其高電子遷移率和高截止頻率被廣泛應(yīng)用于射頻功率器件。隨著RF成本壓力遞增,芯片商開始從較貴的砷化鎵制程技術(shù),轉(zhuǎn)向標(biāo)準(zhǔn)化、價(jià)格親民的硅鍺(SiGe)和 RF方案,其中 RF可在性能媲美砷化鎵產(chǎn)品的前提下,降低一半兒以上制造和測(cè)試成本,并達(dá)成更高的集成度已成為業(yè)界布局的焦點(diǎn)。

  “目前砷化鎵RF芯片仍是市場(chǎng)主流,出貨占比高達(dá)九成。”焦叔認(rèn)為,“但即便PA市場(chǎng)工藝技術(shù)有轉(zhuǎn)向 RF的趨勢(shì),近幾年內(nèi)大范圍推廣的情況不太可能。”中普微電子在CMOS RF工藝上已經(jīng)有了足夠的技術(shù)儲(chǔ)備,未來將隨著PA市場(chǎng)需求的變動(dòng)而變。

  不過,主推CMOS RF技術(shù)的RFaxis公司全球銷售副總裁Rayond Biagan認(rèn)為,“CMOS RF芯片在即將爆發(fā)的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)將有搶眼的表現(xiàn)。”未來在物聯(lián)網(wǎng)掀動(dòng)的低成本RF設(shè)計(jì)風(fēng)潮下,砷化鎵的光環(huán)也許將逐漸被CMOS RF取代。



關(guān)鍵詞: 功率放大器 4G CMOS

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