英特爾芯片開(kāi)發(fā)受阻 10nm要等到2017

　　半導(dǎo)體工藝進(jìn)入1xnm節(jié)點(diǎn)之后，各大巨頭都遭遇了嚴(yán)重的困難，尤其是Intel 14nm出現(xiàn)了前所未有的延遲，與計(jì)劃進(jìn)度嚴(yán)重脫節(jié)，至今只有寥寥兩個(gè)產(chǎn)品線，今年下半年才會(huì)全面普及。

　　臺(tái)積電16nm原本寄予厚望，2015年初就要快速量產(chǎn)，結(jié)果連續(xù)跳票，現(xiàn)在看最快也得年底了，甚至得2016年。

　　三星14nm相對(duì)還好一些，起步雖晚但是進(jìn)步很快，據(jù)說(shuō)良品率提高很快，又拉上Global Foundries做同盟，已經(jīng)贏得了蘋(píng)果、高通的芳心。

　　如果按照原先的Tick-Tock發(fā)展模式，后續(xù)進(jìn)展順利的話，Intel應(yīng)該在2016年底推出10nm工藝新品，據(jù)說(shuō)代號(hào)為“Cannonlake”，取代這兩年的14nm Broadwell/Skylake，但情況極為不樂(lè)觀。

　　Intel CEO柯再奇近日也公開(kāi)談到了10nm，但他沒(méi)有給出好消息，而是說(shuō)他們還在繼續(xù)研究，尚未確立時(shí)間表。這就意味著2016年底推進(jìn)到10nm的可能性已經(jīng)基本為零了。

　　而對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，日子也不好過(guò)。近來(lái)關(guān)于臺(tái)積電16nm Fin FET工藝進(jìn)展不順的風(fēng)言風(fēng)語(yǔ)很多，比如說(shuō)設(shè)備安裝推遲到下半年，大規(guī)模量產(chǎn)可能得等明年了，迫使高通、蘋(píng)果兩大客戶紛紛投靠三星14nm Fin FET。

　　在近日的投資者大會(huì)上，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀也承認(rèn)，2015年的Fin FET技術(shù)市場(chǎng)上，臺(tái)積電將會(huì)輸給三星，但在2017-2018年，臺(tái)積電將會(huì)實(shí)現(xiàn)反超。

　　他同時(shí)披露說(shuō)，已經(jīng)有50多名客戶利用臺(tái)積電16nm Fin FET工藝完成了新品流片工作，大多數(shù)會(huì)在2015年第三季度投入量產(chǎn)，新工藝也將在第四季度貢獻(xiàn)5-10%的收入。

　　這就等于承認(rèn)，此前說(shuō)的2015年中量產(chǎn)已經(jīng)不可能，而從收入比例上看，所謂的第三季度量產(chǎn)也僅僅是個(gè)開(kāi)始，真正成熟最快也得今年底，和此前的推測(cè)基本相符。

　　臺(tái)積電甚至說(shuō)已經(jīng)有一位客戶開(kāi)始使用其16nmFinFET工藝生產(chǎn)芯片了，但具體是誰(shuí)不肯說(shuō)，而大多數(shù)客戶都選擇等待更好的16nmFinFET+。